半导体存储器的结构 存储器读写时序9容量为8K×8位 地址线13条即A12A0数据线8条即IO8IO1Intel 2164是64K×1位的DRAM芯片基本特征:(1)存取时间为150?ns200?ns(分别以2164A-152164A-20为标志)(2)低功耗工作时最大为275?mW维持时最大为?mW(3)每2?ms需刷新一遍每次刷新512个存储单元2?ms内需有128个刷新周期2427PROM
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第八章 半导体存储器 主要内容★ 半导体存储器的结构特点和功能★ RAMROM的应用本章要求存储器概述存储器是数字系统和电子计算机的重要组成部分功能:存放数据指令等信息按材料分类1) 磁介质类——软磁盘硬盘磁带2) 光介质类——CDDVD3) 半导体介质类——ROMRAM等按功能分类
6310?FD7Q21D21D3按材料分类1) 磁芯存储器——软磁盘硬盘2) 光盘存储器——3) 半导体存储器——RAMROME2PROMFLASH ROM地址线控制线数据线控制信号输入A4确定欲访存储单元BA 动态RAM存储单元 输出缓冲器灵敏放大器···A0WERAM1A0A126000H6001H6002H┇7FFFH EPROM1)ROM(二极管PROM)结构示意图当OE=1时输出为
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单击此处编辑母版标题样式abcd单击此处编辑母版文本样式abvd第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式abcd单击此处编辑母版文本样式abvd第二级第三级第四级第五级半导体存储器7.1 只读存储器7.2 随机存取存储器教学基本要求:掌握半导体存储器字位存储容量地址等基本概念掌握RAMROM的工作原理及典型应用了解存储器的存储单元的组成及工作原理概 述半导体存贮器能存放大量二
存储周期:连续启动两次独立的存储器读/写操作 所需的最小时间间隔只读存储器(ROM) 存储器容量扩展64K×1位IOWE CE…P0P2第三章BAP1P30 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0(0000H )……RDRDA13A0P0P2=4 (片组)2114用2114组成2K×8位的RAM
第二节半导体存储器工艺双极型MOS型TTL型ECL型速度很快、功耗大、容量小电路结构PMOSNMOSCMOS功耗小、容量大工作方式静态MOS动态MOS存储信息原理静态存储器SRAM动态存储器DRAM(双极型、静态MOS型):依靠双稳态电路内部交叉反馈的机制存储信息。(动态MOS型):依靠电容存储电荷的原理存储信息。功耗较大,速度快,作Cache。功耗较小,容量大,速度较快,作主存。(静态MOS除外
顺序脉冲发生器2. 双向移位寄存器四位同步二进制计数器即16进制计数器D0 D1 D2 D3× 1 1 0 1 × × × ×四位二进制加法计数器?CP CR LD P T D0 D1 D2 D3 Q0 Q1 Q2 Q3 计 数1 0 0 1--R01表 几种中规模同步计数器 集成计数器一
第九章 半导体存储器章目录第9章 半导体存储器 一半导体存储器概念2.存取速度三分类 二重要指标 1.存储量1.按存取方式分类41920221第九章 半导体存储器9.1 只读存储器(ROM) 2.按使用器件类型来分 一. ROM的分类1.按存储内容写入方式来分四ROM的逻辑关系二.ROM的结构 三.ROM的工作原理 1.属于组合逻辑电路 2.阵列图41920222第九章 半导体存储器五ROM的应用
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