报 价 单日??? 期: 2015年01月15日?需??? 方:供??? 方:邢台润联机械设备有限负 责 人:负 责 人:杨涛电??? 话:电??? 话:0319-8322210?库号设备名称数量(台)销售价?(元)RL197504BETA960多功能校验仪10RL197503VICTOR79过程万用表10RL197502830E多功能校准仪10RL197501MS-420循环校验仪10
半导体的导电特性 P型半导体与N型半导体的特征 PN结及其单向导电特性重点内容1一半导体的导电特性价电子4空穴自由电子abc444444444 共价键的两个价电子 (a)硅和锗原子的简化结构模型 (b)晶体的共价键结构及电子空穴对的产生
半导体的特性:光敏特性热敏特性掺杂特性杂质半导体分为N型半导体和P型半导体N型半导体的元素是4价硅P型半导体元素是3价硼N型半导体多子是电子P型半导体多子是空穴PN结的单向导电性:正向导通反向截止三极管按结构分可分为:PNPPNP型三极管由集电极c基极b发射极e组成三极管的工作区域:截止区(集电结反偏发射结反偏)放大区(发射结正偏集电结反偏)饱和区(集电结正偏发射结正偏)电压关系:NPN:UC>U
实验二 半导体元件输出特性分析本次实验的研究对象是半导体元件主要有二极管三极管双极结型晶体管场效应管主要的研究内容是二极管和三极管的输出特性分析以加深对各元件性质的理解第一部分 二极管输出特性分析绘制电路图如图1所示分析:(1)目的在于理解二极管的伏安特性曲线掌握反向击穿特性(2)所用的PSpice仿真分析方法是直流扫描分析(3)设定主扫描变量为V4从-120V开始扫描到30V每隔001记
实验 半导体器件特性的测量与分析【摘要】这次实验主要是为了熟悉了解双极场效应晶体管发光光敏二极管等半导体单元器件的基本原理特性和主要参数同时学会使用半导体管特性图示仪测量各类半导体器件的特性曲线和直流参数了解微机半导体器件特性测试仪的优越性并学会使用【引言】近几十年来半导体材料和器件的发展很快半导体器件的种类很多典型的放大器件有双极型晶体管和场效应晶体管部分光电子器件的工作原理在先行课程中已有介绍
惯性导航系统误差传播特性分析报告系统误差方程的建立及分析误差源 1)元件误差 主要有陀螺的漂移标度因数误差加速度计的零偏和标度因数误差计算机的舍入误差电流变换装置的误差等 2)安装误差 主要指加速度计和陀螺仪在平台上的安装误差 3)初始条件误差 包括平台的初始误差以及以及计算机在解算方程时的初始给定误差
物质的导电性和半导体的导电性知识要点一物质的导电性1金属中的电流金属导体内的电流强度与自由电子的平均定向运动速率有关则由上式可估算出电子的定向运动速率是很小的一般为数量级与电子热运动的平均速率(约数量级)和电的传播速率(即电场的传播速率为)不能混为一谈2液体中的电流(1)液体导电包括液态金属导电与电解质导电两种电解质导电与金属导电的机理不同固态金属导电跟液态金属(如汞)导电的载流子是自由电子在导电
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半导体及其基本特性Si价 带施主和受主浓度:NDNA6. 非本征半导体的载流子8. 过剩载流子 载流子的漂移运动:载流子在电场作用下的运动载流子的扩散运动:载流子在浓度梯度(化学势)作用下运动空穴方程形式2电荷密度?(x)PN结的结构2. 平衡的PN结:没有外加偏压正向偏置时扩散大于漂移扩散漂移电子:反向偏置时漂移大于扩散§ 双极晶体管收集极PNP共基极共发射极共收集极共基极直流放大系数和交流
23 测试系统特性分析王伯雄23 测试系统特性分析 一、概述二、测量误差三、测试系统的静态特性 四、测试系统的动态特性 五、测试系统实现精确测量的条件 六、测试系统的负载效应 一、概述信号与系统紧密相关。被测的物理量亦即信号作用于一个测试系统,而该系统在输入信号亦即激励的驱动下对它进行“加工”,并将经“加工”后的信号进行输出。输出信号的质量必定差于输入信号的质量。受测试系统的特性影响;受信号传输过
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