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第19 卷第 9 期
第 19 卷第 3 期
铁电薄膜材料及其应用铁
Chapter 9其它薄膜材料超晶格和量子阱薄膜材料超晶格和量子阱薄膜材料(Superlattice and Quantum Well)用MBE和MOCVD技术对材料进行原子级尺度的微细加工而制备出来的超多层结构材料。其组分和掺杂随意可变。每层厚度在01-1nm1969年IBM的江畸和朱肇祥提出了超晶格概念。1972年,IBM张立刚等 人首先用分子束外延技术生长出了100个周期的AlGaA
高温热激活型薄膜的形态和其生长环境答:形态 2 型的薄膜组织各晶粒分别外延而形成的均匀的柱状晶组织柱状晶的直径随沉积温度的增加而增加晶粒内部缺陷密度较低晶粒边界的致密性较好各晶粒的表面开始呈现出晶体学平面所特有的形貌形态 3 型的薄膜组织薄膜的组织变为经过充分再结晶的粗大的等轴晶组织晶粒较大直至可超过薄膜的厚度晶粒内部缺陷密度很低晶界趋于完整薄膜织构的概念和织构的形成原因答:晶态薄膜经常具有一定的
薄膜材料 摘要: 薄膜材料的 发展以及应用薄膜材料的分类如金刚石薄膜铁电薄膜氮化碳薄膜半导体薄膜复合材料超晶格薄膜材料多层薄膜材料等各类薄膜在生产与生活中的运用以及展望 关键词:薄膜 金刚石 铁电 氮化碳 半导体 超晶格 一薄膜材料的发展 在 科学发展日新月异的今天大量具有各种不同功能的薄膜得到了广泛的应用薄膜作为一种重要的材料在材料领域占据着越来越重要的地位
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级 MOS器件高K栅介质薄膜材料研究高K材料的基本特性与电学特性背景 随着45 am和32 am技术节点的来临传统的sio2作为栅介质薄膜材料的厚度需缩小到1 am之下材料的绝缘性可靠性等受到了极大的挑战已不能满足技术发展的要求高k材料成为代替Sio2作为栅介质薄层材料的不错选择但是大多数高k材料是离子金属氧化物其
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塑料薄膜生产设备最新技术 工业上有两大类塑料薄膜(厚度在0.005mm0.250mm)生产方法——压延法和挤出法其中挤出法中又分为挤出吹塑挤出拉伸和挤出流延目前最广泛使用的生产工艺有挤出吹塑挤出拉伸和挤出流延尤其是聚烯烃薄膜而压延法主要用于一些聚氯乙烯薄膜的生产在挤出吹塑挤出拉伸和挤出流延中由于挤出吹塑设备的整体制造技术的不断提高以及相对于拉伸和流延设备而言低得多的本应用在不断增多不过在生
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