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  N 沟道可变电阻区击穿区结型场效应管N沟道 P沟道 增强型 当 0＜VGS＜VT (开启电压)时 当VDS为0或较小时VGD＞VT此时VDS 基本均匀降落在沟道中沟道呈斜线分布P沟道增强型N沟道耗尽型4. 输入电阻RGSP沟

• 第5章场效应管放大电路.ppt

  MOSFET放大电路 N沟道增强型MOSFET1. 结构（N沟道） 产生电场但未形成导电沟道（感生沟道）ds间加电压后没有电流产生?电场强度减小vDS??夹断区延长 给定一个vGS 就有一条不同的 iD – vDS 曲线② 可变电阻区 vDS≤（vGS－VT）其中NMOS增强型 MOSFET的主要参数三极限参数 2. 图解分析1. 直流偏置及静态工作点的计算（2）

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  § 场效应管放大电路 结型场效应管——结构DNGUDSUDS=0V时DPIDNUDSID转移特性曲线一定UDS下的ID-UGS曲线可变电阻区ID-4VJFET转移特性方程（N沟道）6.最大耗散功率PDM绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题D绝缘栅场效应管——结构与符号予埋了导电沟道 SPUGS=0时G当UDS不太大时导电沟道在两个N区间是均匀的UDSUGS耗尽型N沟道MOS管的特性曲线UGS<0P

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  5 场效应管放大电路51金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管53结型场效应管（JFET）*54砷化镓金属-半导体场效应管55各种放大器件电路性能比较52MOSFET放大电路P沟道耗尽型P沟道P沟道（耗尽型）场效应管的分类：51金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管511N沟道增强型MOSFET515MOSFET的主要参数512N沟道耗尽型MOSFET513P沟道MOSFET514沟道长度调制效应

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  § 场效应管的放大电路P沟道2符号56 UGS<0 UDS>0V1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上但在某些场合仍嫌不够高13转移特性曲线ID P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同只不过导电的载流子不同供电电压极性不同而已这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样 ④ 输入电阻RGS 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值对于结型场效应三极管反偏时R

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  单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级4 场效应管放大电路4.1 结型场效应管4.3 金属-氧化物-半导体场效应管4.4 场效应管放大电路4.5 各种放大器件电路性能比较4.2 砷化镓金属-半导体场效应管类比：与BJT放大电路自学(归纳比较)MOS管简单介绍掌握场效应管的工作原理注意与BJT的异同点?1多级放大电路输入级—Ri?中间放大级—AV ?输出

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  单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级 第四章 场效应管放大电路BJT的缺点：输入电阻较低 温度特性差场效应管(FET)：利用电场效应控制其电流的半导体器件优点：输入电阻非常高(高达1071015欧姆)噪声低热稳定性好 抗辐射能力强工艺简单便于集成根据结构不同分为：结型场效应管(JFET)

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  第四章 场效应管放大电路 结型场效应管 4．11 结构结型场效应管有两种结构形式：N型沟道结型场效应管和P型沟道结型场效应管如图（1） 图（1）结型场效应管的结构示意图和符号 4．12 工作原理在DS间加上电压UDS则源极和漏极之间形成电流ID我们通过改变栅极和源极的反向电压UGS就可以改变两个PN结阻挡层的（耗尽层）的宽度这样就改变了沟道电阻因此就