相关文档

• 半导体物理笔记总结.doc

  半导体物理 绪 论一什么是半导体 导体半导体绝缘体 电导率ρ < 此外半导体还有以下重要特性温度可以显著改变半导体导电能力例如：纯硅(Si) 若温度从C变为时ρ增大一倍微量杂质含量可以显著改变半导体导电能力例如：若有100万硅掺入1个杂质(P . Be)此时纯度99.9999 室温( 300K)时电阻率由214000Ω降

• 半导体物理笔记二三章.doc

  第二章 半导体中的杂质和缺陷能级实际晶体中①原子不是静止的在平衡位置附近做振动②半导体不是纯净的——含有杂质③半导体的晶格并非完美的总是存在缺陷的(点缺陷线缺陷面缺陷) §1 SiGe中的杂质能级 半导体杂质的主要来源：原料纯度不够制造过程中的污染为了控制材料性能而认为引入的杂质 1替位式杂质间隙式杂质 金刚石结构中8个原子的体

• 半导体物理笔记第四章.doc

  第四章 半导体的导电性本章思路一个概念：载流子散射的概念一个运动：载流子漂移运动一个规律：电阻率电导率迁移率随掺杂浓度与温度的变化规律 §1 载流子的漂移运动 迁移率1欧姆定律的微分形式——由于宏观样品不均匀所以欧姆定律的宏观形式不可用J为电流密度2漂移速度和迁移率载流子在外电场E的作用下会顺(逆)着电场方向作定向运动——漂移运动图

• 半导体物理笔记五章(修正版).doc

  §2 非平衡载流子的寿命当外界因素撤除后非平衡载流子浓度△n(△p)是随时间按指数规律逐渐衰减即非平衡载流子在导带和价带之间有一定的生存时间但长短不一非平衡载流子在外界因素撤除后的生存时间的平均值称为非平衡载流子的寿命记作因非平衡少子作用显著通常指非平衡在少子寿命 自由时间倒数 =P寿命的倒数 相当于复合几率非平衡载流子的复合率：单位时间单位体积净复合而消失的电子--空穴对数复

• 半导体物理总复习.docx

  基础知识1导体,绝缘体和半导体的能带结构有什么不同并以此说明半导体的导电机理（两种载流子参与导电）与金属有何不同？2什么是空穴它有哪些基本特征以硅为例，对照能带结构和价键结构图理解空穴概念。3半导体材料的一般特性。4费米统计分布与玻耳兹曼统计分布的主要差别是什么？什么情况下费米分布函数可以转化为玻耳兹曼函数。为什么通常情况下，半导体中载流子分布都可以用玻耳兹曼分布来描述。5由电子能带图中费米能

• 半导体物理总复习.ppt

  单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级半导体物理复习第一章一基本概念1. 能带允带禁带K空间的能带图能带: 在晶体中可以容纳电子的一系列能级允带：分裂的每一个能带都称为允带禁带：晶体中不可以容纳电子的一系列能级K空间的能带图：晶体中的电子能量随电子波矢k的变化曲线即E(K)关系(1)越靠近内壳层的电子共有化运动弱能带窄(2)各分裂能级间能量相差小看作准连续(3)

• 半导体掺杂总结.doc

  ①④本征半导体的导电能力很低因为他们只含有很少的热运动产生的载流子某种杂质的添加能极大的增加载流子的数目所以掺杂质的半导体导电能力好例如：掺有磷的半导体就是一种掺杂半导体假设硅晶体中已掺入少量的磷磷原子进入了原本该由硅原子占有的晶体结构中的位置磷作为第5组元素由5个价电子磷原子共享了4个价电子给它周围的4个硅原子4对电子对给了磷原子8个共享的电子加上还有1个未共享的电子一共由9个价电子由于原子价层

• 半导体物理.doc

   =yjjda l toptop [返回顶部] :

• 半导体物理.ppt

  § 非平衡载流子的注入与复合Injection and Rbination of Carriers(3)小注入条件： 当非平衡载流子浓度△n 和△p 远远小于多子浓度时称为小注入条件EC1非平衡载流子的寿命t半导体 非平衡态的电子与空穴各自处于热平衡态 则即EVUd = r (n0 p0)△p r (△p)2讨 论EC间接复合的四个过程甲-俘获电子乙-发射电子丙-俘获

• 半导体物理.ppt

  单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级电子科技大学 微电子固体电子学院半导体物理学祝远锋Semiconductor Physics课程任务 阐述半导体物理的基础理论和半导体的主要性质以适应后续专业课程的学习 教材：《半导体物理学》(第7版)刘恩科等 电子工业出版社 参考：《半导体物理学》上册 叶良修编 《半导体物理学》 顾祖毅编《Physics o