§64 参考模型法校正1二阶参考模型校正二阶系统的最优模型二阶最优模型的性能指标开环频域指标 ?c ?1 = 2?c ?c =655?Lg = ∞闭环时域指标闭环频域指标?b = ?n?r = 0Mr = 1二阶参考模型法校正步骤 作原系统的波德图L0 (?)根据性能指标的要求作二阶参考模型 L (?)两特性的波德图相减,即得校正装置的波德图Lc (?) 例: 已知系统的开环模型 要求: Kv ≥
第六章CMOS集成电路的I/O设
单击以编辑母版标题样式单击以编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第三章栈和队列实现递归将所有的实在参数返回地址等信息传递给被调用函数保存为被调用函数的局部变量分配存储区将控制转移到被调用函数的入口 当在一个函数的运行期间调用另一个函数时在运行该被调用函数之前需先完成三项任务:保存被调函数的计算结果释放被调函数的数据区依照被调函数保存的返回地址将控制转移到调用函数从被调用函数返回调用函数
第四章 频域分析法 波德(Bode)图(对数频率特性图) 对数幅频特性图横坐标:以10为底的对数分度表示的角频率 单位 — rads或Hz纵坐标:线性分度表示幅值A(?)对数的20 倍即: L(?)=20logA(?)单位 — 分贝(dB)第四章 频域分析法College of mechanical electronic engi
24 导电媒质中恒定电场与静电场的比拟241静电比拟2023-09-121 两种场合物理量所满足的方程一样,若边界条件也相同,那么,通过对一个场的求解或实验研究,利用对应量关系便可得到另一个场的解。2023-09-122 微分方程相同;场域几何形状及边界条件相同;媒质分界面满足242静电比拟的条件2023-09-123243静电比拟的应用1用静电比拟方法计算恒定电场静电场静电场便于计算2023-0
#
#
电介质在外电场 E 作用下发生极化,形成有向排列的电偶极矩;电介质内部和表面产生极化电荷; 极化电荷与自由电荷都是产生电场的源。图120电介质的极化2 静电场中的电介质2023-09-281式中∑P 为体积元ΔV内电偶极矩的矢量和,P的方向从负极化电荷指向正极化电荷。用极化强度 P 表示电介质的极化程度,即电偶极矩体密度 实验结果表明,在各向同性、线性、均匀介质中2023-09-282各向同性:媒
电荷电场 静电场的对外表现: (1) 场中任何带电体受电场力作用 —— 动量传递 (2) 带电体在电场中移动时电场对 带电体做功 —— 能量传递q0>0时空间矢量函数q1例1. 求电偶极子的电场yx{>四.电场线 (电场的图示法)一对不等量异号点电荷的电场线
腔外无外场时即孤立空腔导体:腔内电场为零腔外电场由外表面电荷决定 接地空腔导体将使外部空间不受空腔内的电场影响.静电屏蔽:内不影响外有场接地的含义有两个:一是导体接地后除了仍旧保持它是个等势体外最主要的是与地球同电势(3)若外球壳接地则球壳外表面上的电荷消失两球的电势分别为 由电荷守恒:例3 两个半径分别为R和r 的球形导体(R>r)用一根很长的细导线连接起来(如图)使这个导体组带电电势为V求两球
违法有害信息,请在下方选择原因提交举报