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四温度对晶体管特性的影响三极管的基本结构C集电极C集电结结构特点:ECP集-射极穿透电流 温度??ICEO?N2. 各电极电流关系及电流放大作用< 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线?A–正常工作时发射结电压: NPN型硅管 UBE ? 型锗管 UBE ? ? ? 放大区80?A9VCC3 主要参数例:在UCE= 6 V时 在 Q1 点IB=40?A
第四讲晶体三极管第四讲晶体三极管一、晶体管的结构和符号二、晶体管的放大原理三、晶体管的共射输入特性和输出特性四、温度对晶体管特性的影响五、主要参数 一、晶体管的结构和符号多子浓度高多子浓度很低,且很薄面积大晶体管有三个极、三个区、两个PN结。中功率管大功率管二、晶体管的放大原理扩散运动形成发射极电流IE,复合运动形成基极电流IB,漂移运动形成集电极电流IC。少数载流子的运动因发射区多子浓度高使大量
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第2章三极管及其放大电路NPN型PNP型基区:较薄,掺杂浓度低集电区:面积较大§21 双极型三极管发射结集电结211 结构*三极管的符号NPN型三极管PNP型三极管212放大模式下工作原理(略)1、内部载流子传输过程(1)、E区向B区注入电子,形成IE(2)、电子在B区复合,形成IB(3)、 C区收集电子,形成IC三极管放大作用的实质:正向控制作用正向控制作用:用两端之间的电压控制第三端的电流2、
CPB集电结发射极PRcIEIB=IBN IEP -ICBOVCC电流分配: IEIBIC IE-扩散运动形成的电流 IB-复合运动形成的电流 IC-漂移运动形成的电流ICmAVCC60 对于小功率晶体管UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线3此区域满足IC=?IB称为线性区(放大区)9120?A放大区:发射结正偏集
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晶体管的反向特性及基极电阻 IceoVV基区lerb1 rcon集电极输出电流: α f
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第四讲 晶体三极管第四讲 晶体三极管一晶体管的结构和符号二晶体管的放大原理三晶体管的共射输入特性和输出特性四温度对晶体管特性的影响五主要参数 一晶体管的结构和符号多子浓度高多子浓度很低且很薄面积大晶体管有三个极三个区两个PN结小功率管中功率管大功率管为什么有孔二晶体管的放大原理 扩散运动形成发射极电流IE复合运动形成
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