#
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第六章 半导体存储器内容与要求:1.了解存储器的分类及特性2.了解RAM的结构原理(静态RAM动态RAM)3.了解只读ROM结构原理PROMEPROM EEPROM的工作特点4.掌握存储器芯片特性及与CPU的连接方法存 储空间扩展存储芯片的选用控制逻辑与 总线连接逻辑6.1 概述: 808
选择存储器时另一个重要的考虑是它的功率要求存储器对功率有两方面的要求即功率损耗要求和电源要求功率损耗是指总功率用存储器操作所需要的每位瓦数来表示静态RAM的功率损耗范围从每位100微瓦到每位400微瓦动态RAM的功率损耗从每位4微瓦到每位100微瓦因此动态RAM片子需要的操作功率比静态RAM片子要低然而计算动态RAM功率时并没有包括操作存储器更新电路所要求的功率数 互补金属氧化物半导体器件(
第九章 半导体存储器章目录第9章 半导体存储器 一半导体存储器概念2.存取速度三分类 二重要指标 1.存储量1.按存取方式分类41920221第九章 半导体存储器9.1 只读存储器(ROM) 2.按使用器件类型来分 一. ROM的分类1.按存储内容写入方式来分四ROM的逻辑关系二.ROM的结构 三.ROM的工作原理 1.属于组合逻辑电路 2.阵列图41920222第九章 半导体存储器五ROM的应用
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第八章 半导体存储器 主要内容★ 半导体存储器的结构特点和功能★ RAMROM的应用本章要求存储器概述存储器是数字系统和电子计算机的重要组成部分功能:存放数据指令等信息按材料分类1) 磁介质类——软磁盘硬盘磁带2) 光介质类——CDDVD3) 半导体介质类——ROMRAM等按功能分类
《数字电子技术基础》第五版二举例D210两个概念:存储矩阵的每个交叉点是一个存储单元存储单元中有器件存入1无器件存入0存储器的容量:字数 x 位数三快闪存储器(Flash Memory)为提高集成度省去T2(选通管)改用叠栅MOS管(类似SIMOS管)适用于每片RAMROM位数够用而字数不够时011011100100D210
3DI数据总线DB静态RAM动态 随机存储器Flash Memory快擦型存储器: 是不用电池供电的高速耐用的非易失性半导体存储器结构与EPROM 相同其特点是:可以整体电擦除(时间1S)和按字节重新高速编程是完全非易失性的可以完全代替E2RPOM能进行高速编程如: 28F256芯片每个字节编程需100μs 整个芯片最少可以擦写一万次通常可达到10万次CMOS 低功耗最大工作电流30mA与E
第7章 半导体存储器7-1 概述7-2 只读存储器(ROM)7-3 随机存取存储器(RAM)7-4 存储器容量的扩展本章目标要求掌握各种类型的只读存储器的功能特点掌握半导体存储器的分类和容量掌握各种类型的随机存取存储器的功能特点掌握存储器容量的扩展方法半导体存储器是一种能存储大量二值信息的半导体器件存储器与寄存器的区别寄存器内部由触发器构成存储容量小例如1K需要1024个触发器存储器存储容
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级Page 第4章 半导体存储器 4.1 半导体存储器的基本知识4.2 半导体存储器接口基本技术4.3 8位及16位微机系统中内存储器接口1 2按照构成存储器材料的不同可分为半导体存储器磁存储器激光存储器纸卡存储器 1根据存储器是设在主机内部还是外部可分为内部存储器(主存储器)和 外部存储器(辅存储器)4.1.1
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第七章 半导体存储器本章的重点: 1.存储器的基本工作原理分类和每种类型存储器的特点 2.扩展存储器容量的方法 3.用存储器设计组合逻辑电路的原理和方法 因为存储器几乎都作成LSI器件所以这一章的重点内容是如何正确使用这些器件存储器内部的电路结构不是课程的重点本章的难点: 在本章的重点内容中基本没有难点
违法有害信息,请在下方选择原因提交举报