第一章习题 1.设晶格常数为a的一维晶格导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为: Ec=(1)禁带宽度 导带底电子有效质量价带顶电子有效质量(4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解:(1) 2. 晶格常数为的一维晶格当外加102Vm107 Vm的电场时试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间解:根据: 得 补充题1分别计算Si(100)(1
第一章习题 1.设晶格常数为a的一维晶格导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为: (K)=(1)禁带宽度(2)导带底电子有效质量(3)价带顶电子有效质量(4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解:(1) 2. 晶格常数为0.25nm的一维晶格当外加102Vm107 Vm的电场时试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间解:根据: 得 补充题1分别计
第一章习题 1.设晶格常数为a的一维晶格导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为: Ec=(1)禁带宽度(2)导带底电子有效质量(3)价带顶电子有效质量(4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解:(1) 2. 晶格常数为的一维晶格当外加102Vm107 Vm的电场时试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间解:根据: 得 补充题1分别计算Si(100
第一章习题 1.设晶格常数为a的一维晶格导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为: Ec=(1)禁带宽度 导带底电子有效质量价带顶电子有效质量(4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解:(1) 2. 晶格常数为0.25nm的一维晶格当外加102Vm107 Vm的电场时试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间解:根据: 得 补充题1分别计算
第一章习题 1.设晶格常数为a的一维晶格导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为: Ec=(1)禁带宽度(2)导带底电子有效质量(3)价带顶电子有效质量(4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解:(1) 2. 晶格常数为0.25nm的一维晶格当外加102Vm107 Vm的电场时试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间解:根据: 得 补充题1分别计算
第一章习题 1.设晶格常数为a的一维晶格导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为: Ec=(1)禁带宽度(2)导带底电子有效质量(3)价带顶电子有效质量(4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解:(1) 2. 晶格常数为的一维晶格当外加102Vm107 Vm的电场时试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间解:根据: 得 补充题1分别计算Si(100
第三章习题和答案1. 计算能量在E=Ec到 之间单位体积中的量子态数解:2. 试证明实际硅锗中导带底附近状态密度公式为式(3-6)3. 当E-EF为1.5k0T4k0T 10k0T时分别用费米分布函数和玻耳兹曼分布函数计算电子占据各该能级的概率费米能级费米函数玻尔兹曼分布函数1.5k0T0.1820.2234k0T0.0180.018310k0T4. 画出-78oC室温(27 oC)500
第二章习题 1. 实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么 答:(1)理想半导体:假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上实际半导体中原子不是静止的而是在其平衡位置附近振动 (2)理想半导体是纯净不含杂质的实际半导体含有若干杂质 (3)理想半导体的晶格结构是完整的实际半导体中存在点缺陷线缺陷和面缺陷等2. 以As掺入Ge中为例说明什么是施主杂质施主杂质电离过程和
第五章习题 1. 在一个n型半导体样品中过剩空穴浓度为1013cm-3 空穴的寿命为100us计算空穴的复合率2. 用强光照射n型样品假定光被均匀地吸收产生过剩载流子产生率为空穴寿命为? (1)写出光照下过剩载流子所满足的方程 (2)求出光照下达到稳定状态时的过载流子浓度3. 有一块n型硅样品寿命是1us无光照时电阻率是10??cm今用光照射该样品光被半导体均匀的吸收电子-空穴对的产
第三章习题和答案1. 计算能量在E=Ec到 之间单位体积中的量子态数解:2. 试证明实际硅锗中导带底附近状态密度公式为式(3-6)3. 当E-EF为4k0T 10k0T时分别用费米分布函数和玻耳兹曼分布函数计算电子占据各该能级的概率费米能级费米函数玻尔兹曼分布函数0.1820.2234k0T0.0180.018310k0T4. 画出-78oC室温(27 oC)500 oC三个温度下的费米分布函数曲
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