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Chenming Hu Wees FinFET vs. UTB-SOI RaceA dozen years ago Professor Chenming Hu led a study at the University of California at Berkeley funded by DARPA to figure out how CMOS technology could be e
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SHDB然后开始录屏------------保存导出填写excel:复制到txt中的data打开软件清空03和04然后放入软件相应位置run转换成功:可以看到03中已经有数据了 :
高压工艺ESD设计例如做IO PIN对电源端的保护用高压非对称p管: z L2 q e D: v1)两个相邻的source(P注入)之间要插入一条N注入这条N注入主要是为了降低衬底的分布电阻让器件更均匀的Trigger同时这个N注入区不能太窄当IO PIN对电源打正压时这个N要足够的宽以泄放ESD电流3 Q4 r w8 U2 F8 X B7 U I2)沟道长度大小直接决定寄生的横向PNP的基区电
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