实验二双端口存储器原理实验7/8/20241了解双端口静态存储器IDT7132的工作特性及其使用方法了解半导体存储器怎样存储和读取数据。了解双端口存储器怎样并行读写,并分析冲突产生的情况。一、实验目的7/8/20242二、实验电路CEL#为左端口选择引脚,0有效;当CEL#=1时,禁止读、写操作。LR/W#左端口读写控制。1,读操作;0时,写操作右端口作为指令端口,不需要进行数据的写入。因此将
深入理解动态分区存储管理方式下的内存空间的分配与回收第二在设计的表格上进行内存分配本实验要求采用首次适应算法为作业分配内存要求每次找到一个起始地址最小的适合作业的分区本实验要求当找到的空闲分区-作业的大小的值小于或等于某个值时将该分区全部分配给作业否则给作业分割出一部分空间时其余部分仍作为新的空闲分区登记
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_管理_学院__信息管理与信息系统_专业_2_班______组3109005713____吴兴平_ ___协_林敬然__________ 教师评定_____________半导体存储器原理实验实验目的与要求:实验目的:(1)掌握静态存储器的工作特性及使用方法(2)掌握半导体随机存储器如何存储和读取数据实验要求:按练习一和练习二的要求完成相应的操作并填写表各控制端的状态及记录表的写
福建农林大学计算机与信息学院信息工程类实验报告课程名称:计算机组成原理姓 名:系:计算机专 业:计算机科学与技术年 级:09级学 号:指导教师:职 称:2010年12月29日实验项目列表序号实验项目名称成绩指导教师1算术逻辑运算实验2存储器实验3总线控制实验4微程序控制器的组成与微程序设计实验567891011121314151617181920福建农林大学计算机与信
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实验2 存储器实验一实验目的1了解双端口静态随机存储器IDT7132的工作特性及使用方法2了解半导体存储器怎样存储和读出数据3了解双端口存储器怎样并行读写产生冲突的情况如何二实验电路图7示出了双端口存储器的实验电路图这里使用了一片IDT7132(U36)(2048×8位)两个端口的地址输入A8—A10引脚接地因此实际使用存储容量为256字节左端口的数据部分连接数据总线DBUS7-DBUS0右端口
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第五章 存储器原理与接口存储器分类存储器结构 8086CPU最小模式下总线产生存储器接口 5.1 存储器分类一有关存储器几种分类方法存储介质分类 半导体存储器 磁盘和磁带等磁表面存储器 光电存储器按存取方式分类 随机存储器RAM (Random Ac
(一)只读存储器(ROM)扩展电路 特点 a只读b十六位操作(一般)常用芯片:27系列28系列c电路例: 设计一RAM扩展电路容量为32K字地址从10000H开始芯片采用62256全译码:片选信号由地址线中所有不在存储器上的地址线译码产生这种方法存储器芯片中的每一个单元的地址将是唯一的 部分译码:片选信号不是由地址线中所有不在存储器上的地址线译码产生而是有部分高位地址线被送入译码电路产生
实验三 存储器实验一 实验内容:1)RAM设计实验 用VHDL设计一个拥有八位地址线八位数据线的RAM数据读入与数据输出分开存储空间为2568位2)LPM_RAM_IO定制实验 利用lpm_ram_io设置参数定制一片2568位的ram3)存储器综合实验 设计一个数据选择通路电路再利用定制的lpm_ram_io组合成存储器实验进行波形仿真后在设计一个附加显示电路
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