本节课教学目的:(1)掌握双极性三极管的外特性 输入特性输出特性 (2)掌握双极性三极管的主要参数输出回路输入回路 三极管的特性曲线 三极管的特性曲线是指各电极间电压和电流之间的关系曲线IBUCE 三极管共射特性曲线测试电路ICVCCRbVBBcebRcV?V??A??mAUCE-UCE-IBIBIBUBE 发射极是输入回路输出回路的公共端 三极管输入回路中加在
双极性三极管开关特性晶体三极管工作于截止区时内阻很大相当于开关断开状态工作于饱和区时内阻很低相当于开关接通状态三极管开关电路如图(a)示 输入控制信号 为矩形电压脉冲电源电压 输出信号为 三极管开关电路输入输出波形如图(b)下实例中为12V的开关控制信号为单片机可接收的TTL信号为了与输入控制信号一致加入反相器74LS14 : Transistor is a solid-state dev
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级4.13三极管输入输出特性曲线的测试国家工科电工电子基础教学基地国 家 级 实 验 教 学 示 范 中 心 现代电子技术实验预习情况检查1.半导体管特性图示仪的基本原理与应用2.晶体三极管的伏安特性曲线的特点及其主要参数定义现代电子技术实验国家工科电工电子基础教学基地国 家 级 实 验 教 学 示 范 中 心 一.实验目的
NiVONDDbeb当Vi < VON时be间不导通没有 IB 也没有IC截止cIC ≠β IBc三极管的基本开关电路的计算是否饱和50k例2:试判断三极管T处在什么状态T合 合0F0 11三复合逻辑运算A01 0A3V0VA01亮11100 0
晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一在电路中用V或VT(旧文字符号为QGB等)表示 晶体管是内部含有两个PN结外部通常为三个引出电极的半导体器件它对电信号有放大和开关等作用应用十分广泛 一晶体管的种类 晶体管有多种分类方法 (一)按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管管按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管锗PNP晶体管硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级1§1-5-3 晶体三极管的伏安特性曲线 晶体管的伏安特性曲线是描述三极管的各端电流与两个PN结外加电压之间的关系的一种形式其特点是能直观全面地反映晶体管的电气性能的外部特性 晶体管的特性曲线一般用实验方法描绘或专用仪器(如晶体管图示仪)测量得到
C1三极管的三种工作区域三极管放大条件:三极管饱和条件:三极管饱和特点:VCEScVBC<0b正偏正偏当i b>60μA时vo三极管工作在饱和状态大的越多饱和的越深Vi = Vb2时:T 饱和实际情况下:三极管开关惰性由小到大变化正偏正偏分析输入信号由:结论:RS三极管截止条件:V be≤0RCVBB即:对β的一致性要求底只要满足CO :输出端分布电容及负载电容之和当:Vi 从DCL
CUCE ≈ VCCE RC三极管动态特性Ⅲ当UGS大于NMOS管的启动电压UT时MOS管工作在导通区此时漏源电流iDS =UDD (RDrDS)其中rDS为MOS管处于导通时的漏源电阻输出电压UDS = UDD?rDS(RDrDS)如果rDS<<RD则UDS≈0VMOS管处于接通状态其等效电路为如下当输入电压ui由低变高MOS管由截止状态转换为导通状态时杂散电容CL上的电荷通过rDS进行放电其放
一般沿z传播均匀平面波:2).圆极化
指令1②CPU从内存中逐条读取该程序的指令及相关的数据半导体存储器内存 硬盘的逻辑结构移动硬盘光盘存储器存储容量只读盘片(BD)一次性可写盘片(BD-R)可擦写盘片(BD-RW)
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