半导体的共价键2. N型半导体(3)PN结V-I特性的表达式PN结面积大用于大电流整流电路 硅二极管的反向击穿特性比较硬比较陡反向饱和电流也很小锗二极管的反向击穿特性比较软过渡比较圆滑反向饱和电流较大 二极管连续工作时允许流过的最大整流电流的平均值3. 折线模型(实际模型)3. 实际模型例2:理想二极管电路中 vi= Vm sinωt V 求输出波形v0导通
——为了保证有较好的放大效果且不引起非线性失真放大电路应有稳定的静态工作点分压式偏置稳定过程输出电阻 提高了即提高了电路的恒流特性2. 输入电阻Ri与例1结果完全相同Ri∴ β增加一倍 ICVCE不变 IB减小一倍(2)电压增益RoRo ≈RC判断下列各图是否能组成复合管多级放大电路:? 后级的输入阻抗是前级的负载例1:两级放大电路如下图示求QAuRiRo作业:
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第一章 半导体器件1.1 半导体的特性1.2 半导体二极管1.3 双极型三极管(BJT)1.4 场效应三极管1.1 半导体的特性 1. 导体:电阻率 ? < 10-4 ? · cm 的物质如铜银铝等金属材料 2. 绝缘体:电阻率 ? > 109 ?· cm 物质如橡胶塑料等 3. 半导体:导电性能介于导体和半导体之间的物
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级5 场效应管放大电路5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管5.3 结型场效应管(JFET)5.4 砷化镓金属-半导体场效应管5.5 各种放大器件电路性能比较5.2 MOSFET放大电路P沟道耗尽型P沟道P沟道N沟道增强型N沟道N沟道(耗尽
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级反馈放大电路反馈 在电子系统中把输出回路的电量(电压或电流)馈送到输入回路的过程 反馈就是将输出信号取出一部分或全部送回到放大电路的输入回路与原输入信号相加或相减后再作用到放大电路的输入端反馈信号的传输是反向传输所以放大电路无反馈也称开环放大电路有反馈也称闭环输入信号反馈信号净输入信号正反馈负反馈净输入
UD8.4甲乙类互补对称功率放大电路★ 交越失真现象: 实际上由于管子发射极存在死区以及最初阶段非线性较严重因此完全由输入信号推动时集电极电流iC在穿越横轴时将会出现失真——这种现象称为交越失真iCt0交越失真iBvBE0 交越失真现象将使输出信号产生非线性失真输入信号较小时影响较大解决方法:在静态时让管子处于一种微导通的状态(工作点不在横轴上而是稍微上升一点——微偏置)可
注:交流信号(正弦波):用有效值表示具有直流成分的:用平均值表示利用二极管的单向导电性几种滤波电路RL ≠0:C有了放电回路 ?d=RLCC. 直流电压 VL 随负载电流增加而减少解:(1)IL=Vz ?RL=10V ?1K=10mA
单击此处编辑母版标题样式abcd单击此处编辑母版文本样式abvd第二级第三级第四级第五级9.2.6 集成AD转换器及其应用9.2 AD 转换器9.2.1 AD转换的一般工作过程9.2.2 并行比较型AD转换器9.2.3 逐次比较型AD转换器9.2.4 双积分式AD转换器9.2.5 AD转换器的主要技术指标概述ADCDnD0输出数字量输入模拟电压能将模拟电压成正比地转换成对应的数字量1.
31半导体的基本知识 32
电子技术基础(模拟部分)康华光主编任课教师:韦东梅QQ:349073356昵称:韦老师 vs-输入非电量Vmtv§ 放大电路模型一放大的基本概念放大——把微弱的电信号的幅度放大 完整的放大电路框图如下:-VCCRLvo-RLvi-2. 输出回路的等效(1)从vo 端看进去放大电路等效为戴维宁电路vi-放大电路(无源) vs-vo- 电压放大模型适用于分析信号源内阻Rs小负
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