单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级半导体探测器 Chapter 8Semiconductor Detectors第八章1半导体光吸收的五种机理本征吸收:电子吸收能量大于Eg的光子由价带跃迁至导带产生电子-空穴对.激子吸收:处于亚稳状态的电子-空穴组成的激子吸收入射光子能量而产生电子-空穴对.晶格振动吸收.杂质吸收.自由载流子吸收.28.1 光电探测器的材料无论
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第十一章 半导体光电子器件原子核电子高能级低能级孤立原子的能级围绕原子核旋转的电子能量不能任意取值只能取特定的离散值(离散轨道)这种现象称为电子能量的量子化电子优先抢占低能级半导体的能带在大量原子相互靠近形成半导体晶体时由于半导体晶体内部电子的共有化运动使孤立原子中离散能级变成能带在晶体物理中通常把这种形成共价键的价电子所占据
下一页 杂质半导体这种结构的立体和平面示意图见图 本征激发和复合在一定温度下会达到动态平衡 在N型半导体中自由电子是多数载流子它主要由杂质原子提供空穴是少数载流子 由热激发形成一PN结的形成 半导体二极管 PN结面积小结电容小用于检波和变频等高频电路图 二极管的伏安特性曲线 当V≥VBR时反
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级1半导体光电子器件 参考教材:半导体光电子技术 : 许长存 出版:西安电子科技大学 88201500(O)13319276116hmzhangxidian.edu 88201644(O)13759950555guohuimail.xidian.edu2 概述半导体器件基本
设均匀不带电的介质的复折射率为 磁导率m=m0(对于光学中所讨论的大多数固体材料相对磁导率mr=1)介电常数e=ere0电导率s则光(频率为w)在中传播时有以下关系:以上公式中n0为折射率k为消光系数在半导体中最主要的吸收过程是电子由价带向导带的跃迁所引起的光吸收称为本征吸收或基本吸收.这种吸收伴随着电子-空穴对的产生使半导体的电导率增加即产生光电导显然引起本征吸收
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级半导体传感器§8.1 气敏传感器§8.2 湿敏传感器气敏传感器用途:检测气体的类别浓度成分分类:1按传感器组成材料分表面控制型体控制型气体与半导体间电子接受电导率变化而化学成分不变组成变而使电导率变化半导体非半导体2按物理性质分电阻型非电阻型利用其他参数检测利用电阻值发生变化二极管的伏安特性和场效应管的阈值电压一半
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Semiconductor Devices第8章 半导体器件电工与电子技术81 半导体的基础知识82 半导体二极管86 稳压电路第8章 半导体器件第8章 半导体器件半导体的基础知识8182半导体二极管86稳压电路1.了解半导体的导电特性,PN结的形成及其单向导电性能。2.了解半导体二极管的基本结构,掌握其伏安特性及基本应用。3.掌握稳压管的特性及基本应用。教学基本要求电阻二极管电路板半导体的特性:
激光又名镭射(Laser),它的全名是“辐射的受激发射光放大”。(Light Amplification by Stimulated Emission ofRadiation)第 21 章量子物理的应用§211激光(Laser)一、光与原子相互作用h?辐射场的能量密度单位时间吸收后跃迁概率单位时间跃迁的原子数吸收系数1 吸收(Stimulated Absorption)2 自发辐射(Spontan
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