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  § 场效应管的放大电路P沟道2符号56 UGS<0 UDS>0V1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上但在某些场合仍嫌不够高13转移特性曲线ID P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同只不过导电的载流子不同供电电压极性不同而已这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样 ④ 输入电阻RGS 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值对于结型场效应三极管反偏时R

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  单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第四章 场效应管放大电路 引言： 1.场效应管的特点 (1)它是利用改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力的半导体器件 (2)它具有双极型三极管的体积小重量轻耗电少寿命长等优点 (3)还具有输入电阻高热稳定性好抗辐射能力强噪声低制造工艺简单便于集成等特点 (4)在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应用 2.场效应

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  第四章 场效应管放大电路 结型场效应管 4．11 结构结型场效应管有两种结构形式：N型沟道结型场效应管和P型沟道结型场效应管如图（1） 图（1）结型场效应管的结构示意图和符号 4．12 工作原理在DS间加上电压UDS则源极和漏极之间形成电流ID我们通过改变栅极和源极的反向电压UGS就可以改变两个PN结阻挡层的（耗尽层）的宽度这样就改变了沟道电阻因此就

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  MOSFET放大电路 N沟道增强型MOSFET1. 结构（N沟道） 产生电场但未形成导电沟道（感生沟道）ds间加电压后没有电流产生?电场强度减小vDS??夹断区延长 给定一个vGS 就有一条不同的 iD – vDS 曲线② 可变电阻区 vDS≤（vGS－VT）其中NMOS增强型 MOSFET的主要参数三极限参数 2. 图解分析1. 直流偏置及静态工作点的计算（2）

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  § 场效应管放大电路 结型场效应管——结构DNGUDSUDS=0V时DPIDNUDSID转移特性曲线一定UDS下的ID-UGS曲线可变电阻区ID-4VJFET转移特性方程（N沟道）6.最大耗散功率PDM绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题D绝缘栅场效应管——结构与符号予埋了导电沟道 SPUGS=0时G当UDS不太大时导电沟道在两个N区间是均匀的UDSUGS耗尽型N沟道MOS管的特性曲线UGS<0P

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  5 场效应管放大电路51金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管53结型场效应管（JFET）*54砷化镓金属-半导体场效应管55各种放大器件电路性能比较52MOSFET放大电路P沟道耗尽型P沟道P沟道（耗尽型）场效应管的分类：51金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管511N沟道增强型MOSFET515MOSFET的主要参数512N沟道耗尽型MOSFET513P沟道MOSFET514沟道长度调制效应

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  实验四 场效应管放大电路1．实验目的（1）研究场效应晶体管放大电路的特点（2）比较场效应管放大电路与双极型晶体管放大电路的不同（3）掌握场效应管放大电路性能指标的测试方法2．实验涉及的理论知识和实验知识本实验涉及了场效应管的原理与应用3．实验仪器直流稳压电源万用表信号发生器和示波器4．实验电路如图所示为实验参考电路它由一级场效应管和一级三极管放大电路组成5．实验原理场效应管是一种电压控制型的半导体