相关文档

• 第四章-半导体的导电性.ppt

  玻耳兹曼方程 半导体处热平衡状态（无外场作用温度均匀）据费米分布能级E（k）被电子占据概率为：对非简并导体玻耳兹曼方程图给出锗和硅的平均漂移速度 与电场强度E的关系低场1mn d2 Ed2 k

• 第四章-半导体的导电性.ppt

  不满带：对被电子部分填充的能带情况电子对称地占据能量较低的状态如下图(a)所示没有外电场作用时不呈现出电流6在一定温度下共价键上的电子e挣脱了价键的束缚进入到晶格空间中成为准自由电子这个电子在外电场的作用下运动而形成电子电流．单位西门子米（Sm或Scm )令: 漂移运动 迁移率与电导率17空位 载流子的散射 载流子的散射25复习题:复习： 迁移率的简单理论分析（4-28） 设沿x方向施加电场E

• 第四章1_半导体的导电性.ppt

  第四章 半导体的导电性重点：半导体的迁移率电导率电阻率随温度和杂质浓度的变化规律载流子的散射概念了解迁移率的本质载流子散射的物理本质(定性结论)电导率弱电场情况下电导率的统计理论第四章 半导体的导电性 4.1.1 复习欧姆定律：4.1 载流子的漂移运动和迁移率 欧姆定律不能说明导体内部各处电流的分布情况. 半导体中 一般电流分布在截面各处并不均匀 流过不同截面的电流强度可能不同

• 半导体的导电性.ppt

  1是导体的电阻4142023是电子电量4142023414202310§ 载 流 子 的 散 射The Scattering of Carriers14载流子在电场作用下沿电场方向（空穴）或反方向（电子）定向运动这就是漂移运动1719空穴Ni越大载流子遭受散射的机会越多温度T越高载流子热运动的平均速度越大可以较快地掠过杂质离子偏转就小所以不易被散射格波能量增加 时

• 物质的导电性半导体的导电特性.doc

  物质的导电性和半导体的导电性知识要点一物质的导电性1金属中的电流金属导体内的电流强度与自由电子的平均定向运动速率有关则由上式可估算出电子的定向运动速率是很小的一般为数量级与电子热运动的平均速率（约数量级）和电的传播速率（即电场的传播速率为）不能混为一谈2液体中的电流（1）液体导电包括液态金属导电与电解质导电两种电解质导电与金属导电的机理不同固态金属导电跟液态金属（如汞）导电的载流子是自由电子在导电

• 第十章-半导体的光学性质和光电-....ppt

  设均匀不带电的介质的复折射率为 磁导率m=m0（对于光学中所讨论的大多数固体材料相对磁导率mr=1)介电常数e=ere0电导率s则光（频率为w）在中传播时有以下关系：以上公式中n0为折射率k为消光系数在半导体中最主要的吸收过程是电子由价带向导带的跃迁所引起的光吸收称为本征吸收或基本吸收．这种吸收伴随着电子-空穴对的产生使半导体的电导率增加即产生光电导显然引起本征吸收

• 半导体的导电特性P型半导体与N型半导体的特征PN结及其....ppt

  半导体的导电特性 P型半导体与N型半导体的特征 PN结及其单向导电特性重点内容1一半导体的导电特性价电子4空穴自由电子abc444444444 共价键的两个价电子 (a)硅和锗原子的简化结构模型 (b)晶体的共价键结构及电子空穴对的产生

• 第四章金属半导体结.ppt

  ??? ?? ??? ????? ??? ???? ??????? ???? ???? ????? ??第四章 金属—半导体结 引言金属—半导体形成的冶金学接触叫做金属—半导体结(M-S结)或金属－半导体接 触把须状的金属触针压在半导体晶体上或者在高真空下向半导体表面上蒸镀大面积的金属薄膜都可以实现金属—半导体结前者称为点接触后者则相对地叫做面接触金属—半导体接触出现两

• 第四章半导体存储器.ppt

  存储器是构成计算机的基本组成之一.存储器是用来保存计算机中各种数字信息的它由能够表示二进制数0和1的存储介质构成它的最小单位是位.在计算机中存储器的单位通常是字节或字.8位的CPU一次只能访问一个字节存储器16位的CPU一次可以访问一个字节也可以访问一个字存储器. 数据：接数据总线双向RW：接控制总线1读0写选中控制：多个记忆体中选1个用地址选择bit 记忆体（例）--- 静态RAM的六管基本存储

• 第2章半导体材料的电学性能.pptx

  单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级??1.4 半导体材料导电性 1. 半导体材料概况(2) 依据电子参与成键情况本征半导体 所有外层电子都成键所有结合键上电子都满额掺杂半导体 － N型： Si(AsP) － P型： Si(BAlGa)(1) 依据化学组元个数分为元素半导体－SiGe化合物半导体－III-V族 GaAs InSb InP 等II-VI族