电控学院IC设计中心制作器件: npnpnpdiode埋层收集区扩散绝缘双极晶体管(CDI)4 外延淀积LAYOUT VIEW
单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第2章 三极管及其放大电路2.1 双极型三极管双极型三极管(BJT) 又称半导体三极管晶体管或简称为三极管(Bipolar Junction Transistor)三极管的外形如下图所示 三极管有两种类型:NPN 和 PNP 型主要以 NPN 型为例进行讨论12.1.1 晶体管的结构常用的三极管的结构有硅平面管和锗合金管两种类型(a)平面型(NP
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场效应半导体三极管 另一侧称为集电区和集电极用C或c表示(Collector) IE= IEN IEP 且有IEN>>IEP IEN= IBN 且有IEN>> IBN >>IBN 双极型半导体三极管的工作原理这是发射结JeICEO由此可写出三极管三个电极的电流IC= ICBO = IEN - IBN
第三节 双极结型三极管三极管的结构三极管中载流子的运动和电流分配关系三极管的特性曲线三极管的主要参数下页总目录1半导体三极管 晶体管 (transistor) 双极型三极管或简称三极管制作材料:分类 :它们通常是组成各种电子电路的核心器件。双极结型三极管又称为 :硅或锗NPN型PNP型下页上页首页2一、 三极管的结构三个区NPN型三极管的结构和符号NPN下页上页首页3发射极电流二、三极管中载流子的
双基极二极管(单结晶体管)的结构双基极二极管又称为单结晶体管它的结构如图1所示在一片高电阻率的N型硅片一侧的两端各引出一个电极分别称为第一基极B1和第二基极B2而在硅片是另一侧较靠近B2处制作一个PN结在P型硅上引出一个电极称为发射极E两个基极之间的电阻为RBB一般在215k?之间RBB一般可分为两段RBB = RB1 RB2RB1是第一基极B1至PN结的电阻RB2是第一基极B2至PN结的电阻双基
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13 双极型晶体管结构及类型温度特性电流放大作用特性曲线主要参数PNP三极管半导体三极管 晶体管 (transistor) 双极型三极管或简称三极管制作材料:分类 :通常是组成电子电路的核心器件又称为 :硅或锗NPN型PNP型下一页返回一、晶体管的结构及类型2 三极管的类型2 三极管的结构三个区图133 NPN型三极管的结构和符号NPN下一页上一页返回发射: 发射区大量电子向基区发射2 复合和扩散
第二章 双极型晶体三极管(BJT)概述 晶体二极管:单向导电性 晶体三极管:放大作用半导体器件发展过程中的一次重大飞跃 双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor英文缩写BJT) 场效应管(Field Effect Transistor英文缩写FET):单极型 BJT工作原理.1 BJT结构与符
第二章 双极型晶体三极管(BJT) BJT主要参数直流参数直流电流放大系数 和极间反向电流 和交流参数 交流电流放大系数 和频率参数 和极限参数集电极最大允许电流ICmax集电极最大允许功耗PCmax反向击穿电压 .1 直流参数直流电流放大系数和(1)共基直流电流放大系数 ()(2)共射直流电流放大系数 ()(3)与之间的关系 () ()2.极间
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