相关文档

• 04模拟电子技术第四章_2010.ppt

  单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级4 场效应晶体管4.1结型场效应晶体管4.2MOS场效应晶体管41620221 4 场效应管增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道N沟道P沟道FET分类绝缘栅场效应管结型场效应管 场效应管(Field Effect Transistor简称FET)是一种电压控制器件(uGS iD) 工作时只有一种载流子参与导

• 10模拟电子技术第十章_2011.ppt

  单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级Happy New Year第十章 集成运算放大器的应用10.1 运放的宏模型和误差10.2 比例运算电路10.3 微分和积分运算电路10.4 对数和反对数运算电路10.5 比较器10.6 波形发生器10.7 精密检波电路10.8 变换电路10.9 限幅电路10.10 RC有源滤波器Happy New Year110.1 运放

• 模拟电子技术04.ppt

  模拟电子技术 atx微机开关电源维修教程—工作原理 3辅助电源电路 如图6所示整流器输出的300v左右直流脉动电压一路经t3开关变压器的初级①②绕组送往辅助电源开关管q03的c极另一路经启动电阻r002给q03的b极提供正向偏置电压和启动电流使q03开始导通ic流经t3初级①②绕组使t3③④反馈绕组产生感应电动势(上正下负)通过正反馈支路c02d8r06送往q03的b极使q03迅速

• 模拟电子技术第3章.ppt

  N沟道-sN2. 结型场效应管的工作原理（以N沟道为例）（2）漏源电压对沟道的控制作用 3 结型场效应管的特性曲线uDS=-2VuDSu3（2）夹断电压UP UP 是耗尽型MOS管和结型管的参数当uGS=UP时漏极电流为零1Vci一. 场效应管放大器的直流偏置电路gDD计算Q点：Tug3-g其中：rgs是输入电阻理论值为无穷大可以忽略rds为输出电阻类似于双极型晶体管的rce可以忽略-c

• 模拟电子技术第一章.ppt

  单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级1 常用半导体器件1.1 半导体基础知识1.2 半导体二极管1.3 晶体三极管1.4 场效应管1.5 单结晶体管和晶闸管1.6 集成电路中的元件1.1 半导体基础知识 在物理学中根据材料的导电能力可以将它们划分为导体绝缘体和半导体 典型的半导体是硅Si和锗Ge它们都是4价元素硅原子锗原子硅和锗最外层轨道上的四个电

• 模拟电子技术_第3章.ppt

  单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第三章 半导体二极管及其基本电路主要内容半导体的基本知识PN结的形成半导体二极管及其性质与参数特殊二极管半导体材料及特性半导体的共价键结构本征半导体空穴及其导电作用杂质半导体 §3.1 半导体的基本知识 半导体是一种导电特性位于导体和绝缘体之间的物质典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等掺杂性：二极管三极管场

• 模拟电子技术第七章.ppt

  模拟电子技术基础输入端：反馈信号在输入端的联接分为串联和并联两种方式◆电压控制的电压源◆输入以电压形式求和(KVL)四种类型的反馈组态并联反馈：()(-)(-)反馈通路电流反馈 则iI最好为恒流源即信号源内阻RS越大越好并联反馈判断反馈的组态CERE1：电流串联负反馈RB3?规 律：并联：反馈量

• 模拟电子技术第07章.ppt

  点击此处结束放映（1）正弦波振荡的平衡条件 作为一个稳态振荡电路相位平衡条件和振幅平衡条件必须同时得到满足（2）正弦波振荡的起振条件AF>1 3. RC桥式振荡电路的振荡特性（1）相位平衡条件 （2） 振幅平衡条件 （3）振荡频率 （4）振荡的建立过程 （5）稳幅过程 （6）RC桥式正弦波振荡电路中振荡频率的调节（2）电容三点式LC振荡电路 电容三点式振荡

• 模拟电子技术-第九章.ppt

  4.互补式功放电路的输出功率是否为单管功放电路的二倍　功率放大电路概述一主要技术指标选择功放管时要注意极限参数的选择还要注意其散热条件使用时必须安装合适的散热片和各种保护措施图.1 (a)共射放大电路直流电源提供的直流功率不变电源提供的功率为PVICQ VCC 　全部消耗在管子上直流电源提供的功率不变有输入信号二管交替导通?乙类(? = ? )丁类：功放管工作在开关状态管子　　　仅在饱和导通时

• 模拟电子技术第九章.ppt

  #