模拟电子技术 atx微机开关电源维修教程—工作原理 3辅助电源电路 如图6所示整流器输出的300v左右直流脉动电压一路经t3开关变压器的初级①②绕组送往辅助电源开关管q03的c极另一路经启动电阻r002给q03的b极提供正向偏置电压和启动电流使q03开始导通ic流经t3初级①②绕组使t3③④反馈绕组产生感应电动势(上正下负)通过正反馈支路c02d8r06送往q03的b极使q03迅速
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级4 场效应晶体管4.1结型场效应晶体管4.2MOS场效应晶体管41620221 4 场效应管增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道N沟道P沟道FET分类绝缘栅场效应管结型场效应管 场效应管(Field Effect Transistor简称FET)是一种电压控制器件(uGS iD) 工作时只有一种载流子参与导
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级 通过本章学习要了解新民主主义革命理论形成的历史背景和历史过程掌握这一理论的基本内容 充分认识其历史意义和现实意义认真体会新民主主义革命理论所体现出来的马克思主义的立场观点和方法 教学目的与要求新民主主义革命理论新民主主义革命理论的形成新民主主义革命
一简易助听器电路2.6 三极管和场效应管放大和开关电路的应用举例音量调节PNP型小功率管(3AX)二触电保护电路(旁路电流检测器)L1L2匝数相等双线并绕反向串接磁通抵消使二次侧L3无感应电动势 A点电压约0.47 VT1T2截止KA不动作0.47 VIdL2上电流小于L1二次侧L3感应电动势经整流滤波后A点电压?0.2 V T1T2导通KA动作KA1 KA2断开电器断电?0.2 V恢复开关采用
⑵半导体的晶体结构 ⑵半导体的晶体结构 4半导体中的载流子自由电子空穴(Hole) 空穴和自由电子同时参加导电是半导体的重要特点价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子的同时在原来的共价键位置上留下了一个空位这个空位叫做空穴空穴带正电荷B4⑴ 本征半导体在本征半导体中加入微量的五价元素可使半导体中自由电子浓度大为增加形成N型半导体掺入的五价杂质原子占据晶格中某些硅(或锗)原子的位置如图4-2所示4杂
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级(1-)模拟电子技术数字电子技术电子技术分为:11.模拟电子技术(32)第1章的1.2 (4) 第2章(6)第3章(10)第4章(4)第6章(8)第7章(4)2.数字电子技术(32)第1章部分(2)第5章(6)第8章(8)第9章(8)第10章(6)电子技术学时大致分配:2传感器放大器滤波器模数转换计算机系统数模转换滤波器功率放
1.教学目标 后续课程技能目标功率放大电路的工作原理及效率估算 三教学设计与实施三教学设计与实施直流稳压电源的制作与调试U3Uo=5V考核方法四教学评价
下一页 半导体的导电特性反向特性P-60IB100 μA80μA 60 μA 40 μA 20 μA 放大区(b)截止状态 UBE > 0 ? 互补对称功率放大电路(▲) uCE = UCC- iC RC C2uBEtOicCii-EtuCEVQ2f三极管结电容? 造成 频带宽度:BW = f L – f H
模拟电子技术半导体器件基本放大电路集成运算放大器及其应用波形的产生与变换电路直流稳压电源1半导体器件一、半导体二极管1物体按导电能力分类(1)导体:导电能力强,导电类型:自由电子(2)绝缘体:几乎无导电能力(3)半导体:导电能力介于导体和绝缘体之间。导电类型:电子和空穴2半导体器件2N型半导体和P型半导体N型半导体中自由电子的数目远大于空穴数目,即自由电子是多数载流子,以自由电子导电为主,也叫电子
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级2.1 集成电路运算放大器2 运算放大器2.2 理想运算放大器2.3 基本线性运放电路2.4 同相输入和反相输入放大电 路的其他应用2 运算放大器要 点:(1)运算放大器的两个工作区即线性区和非线性区的特点 (2)理想运放的两个基本特性即虚短和虚断 (3)同相输入放大电路反相输入放大电路的画法
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