#
#
实验目的实验原理仪器介绍实验原理 TKGD-1型硅光电池特性实验仪82开启光强开关调节光强为050 Lx100 Lx150 Lx200 Lx250 Lx500 Lx750Lx1000 Lx1250 Lx记下电压表的读数并将数据填入表 3关闭光强开关作出照度—开路电压曲线思考题
硅光电池特性研究光电池是一种光电转换元件它不需外加电源而能直接把光能转换为电能光电池的种类很多常见的有硒锗硅砷化镓氧化铜氧化亚铜硫化铊硫化镉等其中最受重视应用最广的是硅光电池硅光电池是根据光生伏特效应而制成的光电转换元件它有一系列的优点:性能稳定光谱响应范围宽转换效率高线性相应好使用寿命长耐高温辐射光谱灵敏度和人眼灵敏度相近等所以它在分析仪器测量仪器光电技术自动控制计量检测计算机输入输出光能利用等
111
硅光电池特性测试实验报告系别:电子信息工程系班级:光电08305班组长:祝李组员:贺义贵何江武占志武实验时间:2010年4月2日指导老师:王凌波目 录一实验目的二实验内容三实验仪器四实验原理五注意事项六实验步骤七实验数据及分析八总结 : PAGE : PAGE 2一实验目的1学习掌握硅光电池的工作原理2学习掌握硅光电池的基本特性3掌握硅光电池基本特性测试方法4了解硅
#
#
Click to edit Master title styleClick to edit Master text stylesSecond levelThird levelFourth levelFifth levelHAZEManufacturingGel separatorAGM Separator WrappingGel group supportSupports in CaseAGM
光生伏特效应及光电池的广泛应用我们知道光生伏特效应是指半导体在受到光照时内部产生电动势的现象当然这种光必须在一定的波长范围内半导体一般为非均匀半导体例如P-N结如果此时将P-N结短路就会出现光生电流那么这种P-N结的光生伏特效应其深层的原因是什么现代半导体理论揭示了这一现象的原理:设入射光垂直P-N结面结比较浅光子讲进入P-N结区甚至深入到半导体内部能量大于禁带宽度的光子由本征吸收在结的两边产生电
违法有害信息,请在下方选择原因提交举报