相关文档

• 集成电路工艺基之氧化.ppt

  单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级电子科技大学中山学院单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级Chap 2 氧化绪论SiO2的结构和性质SiO2的掩蔽作用硅的热氧化生长动力学决定氧化速度常数和影响氧化速率的各种因素热氧化过程中的杂质再分布初始氧化阶段以及薄氧化层的生长Si- SiO2 界面特性下一页二氧化硅是上帝赐给IC的

• 硅集成电路工艺——工艺集成.ppt

  单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级天津工业大学单击此处编辑母版标题样式Chap.10 工艺集成集成电路中的隔离1CMOS集成电路的工艺集成234双极集成电路的工艺集成BiCMOS集成电路的工艺集成天津工业大学工艺集成： ——运用各类工艺形成电路结构的制造过程CMOS集成电路的工艺集成双极型集成电路的工艺集成BiCMOS集成电路的工艺集成天津工业大学§10.1 集成电路中的隔离

• 硅集成电路工艺——工艺集成.ppt

  单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级天津工业大学单击此处编辑母版标题样panyLOGO单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式天津工业大学Chap.10 工艺集成集成电路中的隔离1CMOS集成电路的工艺集成234双极集成电路的工艺集成BiCMOS集成电路的工艺集成天津工业大学工艺集成： ——运用各类工艺形成电路结构的制造过程CMOS集成电路

• 集成电路工艺之化学气相淀积.ppt

  #

• 集成电路工艺.ppt

  课程名称 : 电路基础实验集成电路制造技术微芯片涉及的5个大的制造阶段 1、硅片制备 2、工艺制造 3、硅片测试/拣选 4、装配与封装 5、终测1、硅片制备单晶生长圆片制备单晶生长观看 单晶生长 圆片制备 观看 圆片制备硅片制备2、工艺制造氧化扩散离子注入光刻等离子刻蚀物理气相淀积氧化扩散观看 氧化扩散离子注入观看 离子注入 光刻观看 光刻等离子刻蚀观看 等离子刻蚀

• 集成电路工艺基础NEW.ppt

  单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式第三章 集成电路工艺基础 集成电路的制造需要非常复杂的技术它主要由半导体物理与器件专业负责研究IC设计者可以不去深入研究但是有必要了解芯片设计中的工艺基础知识才能根据工艺技术的特点优化电路设计方案对于电路和系统设计者来说更多的是工艺制造的能力而不是工艺的具体实施过程集成电路设计与制造的主要流程框架设计芯片检

• 硅集成电路工艺基础4.ppt

  上节课内容小结与离子注入一样形成浅结却无注入损伤且无需退火 因注入离子与靶原子的质量一 般为同一数量级每次碰撞之后注入离子都可能发生大角度的散射并失去一定的能量 靶原子核也因碰撞而获得能量如果获得的能量大于原子束缚能就会离开原来所在晶格进入间隙并留下一个空位形成缺陷核阻止本领与离子能量的关系一级近似：核阻止本领S0n和入射离子能量E无关电子阻止本领和注入离子的速度（能量

• 集成电路工艺之离子注入.ppt

  单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级电子科技大学中山学院单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级Chap 4 离子注入核碰撞和电子碰撞注入离子在无定形靶中的分布注入损伤热退火离子注入离子注入是一种将带电的且具有能量的粒子注入衬底硅的过程注入能量介于1KeV到1MeV之间注入深度平均可达10nm10um离子剂量变动范围从用于阈值电压

• 集成电路制造工艺.ppt

  单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级微电子中心HMEC集成电路设计原理 集成电路设计原理1微电子器件原理半导体物理与器件微电子工艺基础集成电路微波器件MEMS传感器光电器件课程地位和知识应用领域固体物理半导体物理2 集成电路就是把许多分立组件制作在同一个半导体芯片上所形成的电路早在1952年英国的杜默 (Geoffrey W. A. Dummer

• 集成电路制造工艺.ppt

  单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级集成电路制造工艺集成电路的发展历史集成电路 Integrated Circuit缩写IC通过一系列特定的加工工艺将晶体管二极管等有源器件和电阻电容等无源器件按照一定的电路互连集成在一块半导体单晶片(如硅或砷化镓)上封装在一个外壳内执行特定电路或系统功能集成电路芯片显微照片各种封装好的集成电路1.1900年普朗克发表了著名的《