单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学双极型晶体管及相关器件 Title goes hereTitle goes hereThis is our 1st Level Bulletthis is our 2nd level bulletthis is our 3rd level bulletThis is our next 1st Level Bul
13 双极型晶体管结构及类型温度特性电流放大作用特性曲线主要参数PNP三极管半导体三极管 晶体管 (transistor) 双极型三极管或简称三极管制作材料:分类 :通常是组成电子电路的核心器件又称为 :硅或锗NPN型PNP型下一页返回一、晶体管的结构及类型2 三极管的类型2 三极管的结构三个区图133 NPN型三极管的结构和符号NPN下一页上一页返回发射: 发射区大量电子向基区发射2 复合和扩散
2–1 双极型晶体管的工作原理 图2–2晶体管内载流子的运动和各极电流 式中: 显然 <1一般约为 一电流放大系数 1共发射极直流电流放大系数 和交流电流放大系数β 和β分别由式(2–2)(2–10)定义其数值可以从输出特性曲线上求出 2 共基极直流电流放大系数
2–1 双极型晶体管的工作原理 图2–2晶体管内载流子的运动和各极电流 式中: 显然 <1一般约为 一电流放大系数 1共发射极直流电流放大系数 和交流电流放大系数β 和β分别由式(2–2)(2–10)定义其数值可以从输出特性曲线上求出 2 共基极直流电流放大系数
2.晶体管共发射极直流特性曲线 1)共发射极直流输入特性曲线 在不同的UCE下改变UBE测量IB的值即可得到IB-UBE关系曲线 2.发射极—基极之间的反向电流IEBO 发射极—基极之间的反向电流IEBO是当集电极开路即IC=0时发射极-基极的反向电流晶体管的反向扩散电流和势垒区的产生电流是很小的引起反向电流过大的原因往往是表面漏电流太大因此在生产过程中搞好
第二章 双极型晶体三极管(BJT)概述 晶体二极管:单向导电性 晶体三极管:放大作用半导体器件发展过程中的一次重大飞跃 双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor英文缩写BJT) 场效应管(Field Effect Transistor英文缩写FET):单极型 BJT工作原理.1 BJT结构与符
第二章 双极型晶体三极管(BJT) BJT主要参数直流参数直流电流放大系数 和极间反向电流 和交流参数 交流电流放大系数 和频率参数 和极限参数集电极最大允许电流ICmax集电极最大允许功耗PCmax反向击穿电压 .1 直流参数直流电流放大系数和(1)共基直流电流放大系数 ()(2)共射直流电流放大系数 ()(3)与之间的关系 () ()2.极间
共射输入特性曲线是以输出电压VCE为参变量输入口基极电流iB随发射结电压vBE变化的曲线:共射输入特性曲线的特点:
2–1 双极型晶体管的工作原理 图2–2晶体管内载流子的运动和各极电流 式中: 显然 <1一般约为 一电流放大系数 1共发射极直流电流放大系数 和交流电流放大系数β 和β分别由式(2–2)(2–10)定义其数值可以从输出特性曲线上求出 2 共基极直流电流放大系数
摘要 晶体管是一种固体半导体器件可以用于检波整流放大开关稳压信号调制和许多其它功能晶体管作为一种可变开关基于输入的电压控制流出的电流综述 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管锗PNP晶体管硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管结型晶体管凭借功耗和性能方面的优势仍然广泛应用于高速计算机火箭卫星以及现代通信领域中 本次我们主要
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