电子技术基础制作:刘立平课题:半导体二极管 摘要半导体二极管结构、类型与型号半导体二极管的伏安特性曲线半导体二极管的主要参数半导体二极管的应用特殊二极管小 结课题:半导体二极管 一、半导体二极管结构、类型与型号二、半导体二极管的伏安特性曲线正向特性曲线: 二极管正偏死区:正向高阻区。其电流非常小,处于正向阻断状态。 典型值:锗管0~03V,硅管0~05V。正向导通区:呈低阻状态。具有基本恒定的管压
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级模拟电子技术基础信电学院电气工程教研室初永丽入门性质的技术基础课——电子教案 ?很高兴能够给大家上课 ---- 我们共同学习切磋《模拟电子技术基础》这门课程? ---- 希望通过这门课和大家成为朋友 ---- 把大家引入电
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级半导体二极管第 1 章1.1 半导体的基础知识1.2 半导体二极管的特性和主要参数1.3 二极管电路的分析方法1.4 特殊二极管1.5 半导体二极管特性的测试与应用第 1 章 小 结半导体二极管第 1 章1.1 半导体的基础知识1.1.1 本征半导体1.1.2 杂质半导体1.1.3 PN 结(Semiconductor Dio
§ 半导体基础知识五稳压二极管 一二极管的组成反向饱和电流反向饱和电流理想二极管最大整流电流IF:最大平均值最大反向工作电压UR:最大瞬时值反向电流 IR:即IS最高工作频率fM:因PN结有电容效应 ui V2?进入稳压区的最小电流(2)施加反向电压且小于反向击穿电压稳压管处于截至状态20VR = k? UZ = 12V IZMAX = 18 mA
半导体及二极管 1 半导体的导电特性 本征半导体硅锗 两种载流子:空穴自由电子N 型半导体P 型半导体PN 结的形成 多数载流子的扩散运动形成 PN 结扩散运动与漂移运动PN 结的单向导电性结加正向电压PN(导通)结加反向电压PN(截止)2 半导体二极管 二极管的伏安特性二极管的主要参数(1)最大整流电流IF(2)反向击穿电压VBR(3)反向电流IR二极管基本电路及其分析方法(1)二极管正向V-I
半导体及二极管 1 半导体的导电特性 本征半导体硅锗 两种载流子:空穴自由电子N 型半导体P 型半导体PN 结的形成 多数载流子的扩散运动形成 PN 结扩散运动与漂移运动PN 结的单向导电性结加正向电压PN(导通)结加反向电压PN(截止)2 半导体二极管 二极管的伏安特性二极管的主要参数(1)最大整流电流IF(2)反向击穿电压VBR(3)反向电流IR二极管基本电路及其分析方法(1)二极管正向V-I
12半导体二极管121 半导体二极管的结构和类型 半导体二极管的外型和符号半导体二极管的类型(1)按使用的半导体材料不同分为(2)按结构形式不同分为122半导体二极管的伏安特性 (1)近似呈现为指数曲线,即(2) 有死区(iD≈0的区域)1.正向特性死区电压约为(3) 导通后(即uD大于死区电压后)即uD略有升高, iD急剧增大。2.反向特性 硅管小于01微安锗管几十到几百微安反向电流急剧增大,击
半导体二极管伏安特性几种常见结构稳压二极管等效电路主要参数下一页返回一、几种常见结构二极管的类型 从材料分:硅二极管和锗二极管 从管子的结构分:点接触型二极管,工作电流小,可在高频下工作,适用于检波和小功率的整流电路。面接触型二极管,工作电流大,只能在较低频率下工作, 可用于整流。平面型二极管,结面积小的在数字电路中作为开关管结面积大的可用于大功率整流阳极从P区引出,阴极从N区引出下一页上一页返回
在PN结上加上引线和封装,就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型两大类。(1) 点接触型二极管PN结面积小,结电容小,用于检波和变频等高频电路。13半导体二极管(a)面接触型 (b)集成电路中的平面型(2) 面接触型二极管PN结面积大,用于低频、大电流整流电路。无论是点接触型、面接触型二极管,电路符号皆为:132半导体二极管的伏安特性 IS PN结反向饱和电流UT 热电压式中q
半导体二极管及其基本特性 3二极管及其基本电路Semiconductor diode and its electric circuit 31半导体的基本知识1元素半导体 (例如:硅(Si)、锗( Ge))2化合物半导体(例如:砷化镓GaAs)3杂质半导体311半导体材料 1在导电能力方面既不同导体也不同于绝缘体。2受到外界光和热时,导电能力发生显著的变化。3纯半导体+微量杂质,导电能力会有显著的增
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