单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级发光二极管(LED——Light emitting diode)发光二极管发光二极管是由Ⅲ-Ⅴ族化合物如GaAs(砷化镓)GaP(磷化镓)GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的其核心是PN结发光二极管——结型电致发光半导体器件原子核电子高能级低能级孤立原子的能级围绕原子核旋转的电子能量不能任意取值只能取特定的离散值(离散轨道)这
E2hv空穴P-Alx Ga1-x AsSiO2绝缘层三驱动电路LED外形可分为圆形方形矩形三角形和组合形等多种 面发光 5寿命长基本上不需要维修可作为地板马路广场地面的信号光源是一个新的应用领域LED芯片电平表
深圳市博电电子技术有限文件编号QR--QA--版本号1.0发光二极管检验规程页次第 1 页共 1 页生效日期2005.07.25说明目的规范来料检验保证产品质量适用范围适用于IQC来料检验抽样标准依据GB2828-1987 II 级一次抽样正常检验数量少于20则全数检验 接收水准致命缺陷(CR)AQL0.1主要缺陷(MA)AQL0.4次要缺陷(MI)AQL1.5试验项目可焊性尺寸项目
有源层Δλ=70nm LED的一般外量子效率小于10驱动电流较小时P-I特性呈线性I过大时由于PN结发热产生饱和现象使P-I特性曲线斜率减小通常LED的工作电流为50100mA输出光功率为几mW 由于发光光束辐射角大入纤光功率只有几百μWτe = μs LD?调制带宽BMHz -2050 -2050
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三极管驱动发光二极管 2011-03-28 19:01如图:51单片机IO的驱动能力有限驱动发光LED最好用三极管驱动单片机的IO口接三极管接基极控制三极管的通断设置电路使三极管处于饱和状态(U_bc>0U_be>0)发光LED导通电压U_led为2V左右三极管饱和压U_ce降为0.2V左右(随着I_ce增大U_ce增大)R2为100欧那么可以算出I_ce(通过LED的电流):I_ce =
Sapphire材質相對於其他材質(Silicon GaAs LiNBO3Quartz…)是屬於較硬的材料.Sapphire的硬度與刀片內所含的人工鑽的硬度相當.
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