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  有关半导体的基本概念1.本征半导体图 1-1 硅和锗的原子结构模型(a) 硅 (b) 锗 (c) 原子简化模型 在本征半导体中不断地进行着激发与复合两种相反的过程 当温度一定时 两种状态达到动态平衡即本征激发产生的电子-空穴对与复合的电子-空穴对数目相等这种状态称为动态平衡状态（热平衡）  半导体中自由电子和空穴的多少分别用浓度（单位体积中载流子的数目）ni和pi来表示处

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  我们称从N区指向P区的内电场为PN结因为离子薄层中的多数载流子已经扩散尽了缺少多子所以这个离子薄层也称为耗尽层所以PN结有许多别名离子薄层空间电荷区耗尽层内电场等等PN结最重要的特性是单向导电特性先看如下实验一基本结构（P13）N电流方程：3. 反向电流 IR?iD作业：P64 三（可选做） P66 问题：1为什么二极管的反向饱和电流与外加反向电压基本无关而当环境温度升高时又明显增大

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  第一章 常用半导体器件本章要求1理解PN结的单向导电性，三极管的电流分配和电流放大作用；2了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工作原理和特性曲线，理解主要参数的意义；3会分析含有二极管的电路。学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值。 器

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  单击此处编辑母版标题样式abcd单击此处编辑母版文本样式abvd第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式abcd单击此处编辑母版文本样式abvd第二级第三级第四级第五级1.常用半导体器件1.1 半导体基础知识1.2 半导体二极管1.3 晶体三极管1.4 场效应管1.5 单结晶体管和晶闸管1.6 集成电路中的元件主要内容 1掌握以下基本概念：半导体材料的特点空穴扩散运动漂移运动PN结正偏P

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  单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级本课程的性质特点?非纯理论性课程?实践性很强 定量计算多 ?以工程的观点来处理电路中的一些问题抓主要矛盾忽略次要矛盾采用工程近似的方法简化实际问题允许有一定的误差(±10工程误差)是一门电气类专业基础课为后续课程打基础特点：性质： 基本放大电路差分放大电路集成运算放大电路负反馈放大电路功率放大电路器件：放大电路：