相关文档

• 2010《半导体物理》期中试题解答.ppt

  在常温下将浓度为1014cm3 的As 掺入Si半导体中该半导体中起主要散射作用的是 C 杂质散射光学波散射声学波散射多能谷散射ES掺入硅：强电离区强电离区九一个晶格常数为a的一维晶体其电子能量E与波矢k的关系是：讨论在这个能带中的电子其有效质量和速度如何随k变化得证 样品的费米能级位于导带底Ec下方

• 半导体物理习题解答.doc

  10 半导体物理习题解答第一章 晶体结构1、(1)底心立方结构是布拉伐格子，其格子为简正方格子,三个原基矢分别为(2)侧面心立方和(3)边心立方结构均非布拉伐格子。侧面心立方结构由三套简立方格子套构而成，边心立方结构由四套简立方格子套构而成，其格子均为简立方格子。2、略3、略4、略5、正格子倒格子 原基矢和倒基矢分别为 原胞原子数为2,面积为第二章 晶格振动和晶格缺陷该双原子链的周期或晶格常数为

• 半导体物理典型习题与解答.ppt

  半导体物理典型习题与解答一、固体物理基础知识二 、半导体晶体结构与能带三、半导体中的电子状态四、 半导体中杂质和缺陷五、半导体的导电性六、非平衡少数载流子七、PN结八、肖特基势垒九、MOS电容

• 半导体物理期末试卷B-2010.docx

  电子科技大学二零一零至二零一一学年第一学期期末考试 课程考试题 B卷 ( 120分钟) 考试形式：闭卷 考试日期 2011年 月 日课程成绩构成：平时 15 分 期中 5 分 实验 10 分 期末 70 分一二三四五六七八九十合计复核人签名得分签名得 分可能用到的物理常数：电子电量q=1.602×10-19C真空介电常

• 半导体物理学例题2011.ppt

  单击此处编辑母版标题样式 单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级西安理工大学电子工程系　马剑平一填空1. 化合物半导体的禁带宽度一般随平均原子系数的增加而 其离子键成分随着构成元素电负性差别的增大而 2. 在半导体硅中杂质磷起 作用Al起 作用同时含磷和铝但铝浓度高的Si是 型半导体3. II-VI族

• 2010半导体物理试卷答案-朱俊.doc

  电子科技大学二零 一零 至二零 一一 学年第 一 学期期 末 考试1．对于大注入下的直接辐射复合非平衡载流子的寿命与(D )A. 平衡载流子浓度成正比 B. 非平衡载流子浓度成正比C. 平衡载流子浓度成反比 D. 非平衡载流子浓度成反比2．有3个硅样品其掺杂情况分别是：含铝1×10-15cm-3 乙.含硼和磷各1×10-17cm-3 丙.含

• 半导体器件物理习题讲解.ppt

  单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级半导体器件物理习题讲解 第二章 热平衡时的能带和载流子浓度1. (a)硅中两最邻近原子的距离是多少解答: (a) 硅的晶体结构是金刚石晶格结构这种结构也属于面心立方晶体家族而且可被视为两个相互套构的面心立方副晶格此两个副晶

• 2012年全国中考物理导体绝缘体半导体试题汇编及解析.doc

  2012全国中考物理导体绝缘体半导体试题汇编及解析　　一试题汇编?　　(一)材料分类考查?　　1．楠楠同学在中考备考中准备有：①透明塑料笔袋②金属刀片③塑料三角板④铅笔芯⑤橡皮擦等物品上述五种物品中其中属于绝缘体的有(??? )?　　A． ①③⑤?? ?????????B．②④⑤? ???????????C．③④⑤????? ????D． ①②④?　　2．(2010年安徽12题)下面各组材料

• 半导体物理习题答案.doc

  半导体物理习题解答1－1．（P32）设晶格常数为a的一维晶格导带极小值附近能量Ec（k）和价带极大值附近能量Ev（k）分别为：Ec(k)=和Ev(k)= －m0为电子惯性质量k112aa试求：①禁带宽度②导带底电子有效质量③价带顶电子有效质量④价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化[解] ①禁带宽度Eg根据0可求出对应导带能量极小值Emin的k值：kmin由题中EC式可得：EminEC(K)k=k

• 半导体物理.ppt

  § 非平衡载流子的注入与复合Injection and Rbination of Carriers(3)小注入条件： 当非平衡载流子浓度△n 和△p 远远小于多子浓度时称为小注入条件EC1非平衡载流子的寿命t半导体 非平衡态的电子与空穴各自处于热平衡态 则即EVUd = r (n0 p0)△p r (△p)2讨 论EC间接复合的四个过程甲-俘获电子乙-发射电子丙-俘获