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Effect of T
技 术 论 坛
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用三元碳化物Ti3SiC连接SiC陶瓷基材料(Hongying Dongab Shujie Li b Yingyue Tengb Wen Maca 化工学院内蒙古科技大学呼和浩特中国b 材料科学与工学院北京航空航天大学北京c 材料科学与工程学院内蒙古科技大学呼和浩特中国 )摘要两块SiC基材料(SiC或CfSiC复合材料)的连接被进行使用Ti3SiC作为填充在真空中温度范围从1200℃到1600℃
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