单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级2015128?? 光刻机简介目录1光刻的基本简介2光刻的一般流程3光刻胶简介4光刻掩模简介5光刻机简介6光刻与我们光刻的基本简介光刻：利用照相复制与化学腐蚀相结合的技术在工件表面制取精密微细和复杂薄层图形的化学加工方法 光刻是生产半导体元器件时的一个工业步骤该步骤将印在光掩膜上的外形结构转移到基质的表

微米纳米技术研究中心Institute of Micro and Nano Technology.NUC.EDU单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式MEMS工艺 ——光刻技术石云波 3920397(O)shiyunbonuc.edu主要内容光刻技术光刻技术的发展制版软光刻1.光刻( Lithography )

单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级天津工业大学单击此处编辑母版标题样式Chap.8 光刻与刻蚀工艺光刻的重要性及要求1光刻工艺流程23湿法刻蚀与干法刻蚀技术45曝光光源曝光方式以及掩膜版光刻工艺的分辨率及光刻胶天津工业大学光刻与刻蚀的定义光刻工艺的重要性：IC设计流程图光刻图案用来定义IC中各种不同的区域如：离子注入区接触窗有源区栅极压焊点引线孔等主流微电子制造过程中光刻是最复杂昂贵

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第五章 光刻－Lithography1光刻是IC制造业中最为重要的一道工艺硅片制造工艺中光刻占所有成本的35 通常可用光刻次数及所需掩模的个数来表示某生产工艺的难易程度 一个典型的硅集成电路工艺包括15－20块掩膜版2 集成电路的特征尺寸是否能够进一步减小也与光刻技术的近一步发展有密切的关系 通常人们用

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INFO130024.01集成电路工艺原理第四章 光刻原理 (下)集成电路工艺原理 仇志军zjqiufudan.edu邯郸校区物理楼435室1上节课主要内容基于衍射理论的光刻原理投影式(远场衍射)：分辨率焦深MTF不相干度S接触接近式(近场衍射):最小尺寸光刻胶：正胶负胶光刻胶的组成i线g线(PAC)DUV(PAG)掩模版制作光刻机工作模式：接触式接近式投影式(扫描式步进式步进扫描式)2大

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第 5 章 光学光刻光刻曝光刻蚀光源曝光方式 光刻概述 评价光刻工艺可用三项主要的标准：分辨率对准精度和生产效率定义:光刻：是利用类似于洗印照片的原理通过曝光和选择性化学腐蚀等工序将掩膜版上的集成电路图形印制到硅片上的精密表面加工技术 目的：在二氧化硅氮化硅多晶硅和金属等薄膜表面的光刻胶上形成与掩膜版完全对应的几

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第八章 光刻与刻蚀工艺主 讲：毛 维midian126 西安电子科技大学微电子学院绪论光刻：通过光化学反应将光刻版(mask)上的图形 转移到光刻胶上刻蚀：通过腐蚀将光刻胶上图形完整地转移到Si片上光刻三要素： ①光刻机 ②光刻版(

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第 7 章 光学光刻光刻曝光刻蚀光源曝光方式 7.1 光刻概述 评价光刻工艺可用三项主要的标准：分辨率对准精度 和生产效率涂光刻胶(正)选择曝光 光刻工艺流程显影(第 1 次图形转移)刻蚀(第 2 次图形转移)光源紫外光(UV)深紫外光(DUV) g 线：436 nm i

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级0.18um Process Flow Introduction18LG adopt 26 Photo mask if exclude ESD layerAAPolyCT M1M5 V1V5 use DUV scanner (13 layer) DARC Cap on Critical layer and Top M6

光刻技术流程集成电路制造中利用光学- 化学反应原理和化学物理刻蚀方法将电路图形传递到单晶表面或介质层上形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术随着半导体技术的发展光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了23个数量级(从毫米级到亚微米级)已从常规光学技术发展到应用电子束 X射线微离子束激光等新技术使用波长已从4000埃扩展到 0.1埃数量级范围光刻技术成为一种精密的微细加工技术工艺流程两种工艺　　常规光刻

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级Chip Manufacturing Overview 芯片制作概述晶柱Silicon Ingot晶圆Wafer光罩制作光刻离子植入切割封装电镀(Die晶粒)(Chip晶芯)蚀刻Mask Making PhotolithographyIon ImplantationAssemblyTestingElectroplatingE

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Click to edit Master text stylesSecond levelThird levelFourth levelFifth level4102015??Nanoscale lithographyMichael Johnston4132015Abstract and OutlineNanoscale Lithography is an ever growing fabricat

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级Jincheng Zhang掌握光刻胶的组成PR 和 –PR的区别描述光刻工艺的步骤四种对准和曝光系统Explain relationships of resolution and depth of focus to wavelength and numerical aperture.光刻概述 Photolithography