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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级微电子工艺学Microelectronic Processing第六章 光刻与刻蚀工艺张道礼 教授Email: zhang-daoli163Voice: 87542894图形转移光 刻刻 蚀薄膜制备掺 杂 扩散掺杂离子注入掺杂物理气相淀积化学气相淀积外 延微电子单项工艺6.1 概述
蚀刻技术最早的蚀刻技术是利用特定的溶液与薄膜间所进行的化学反应来去除薄膜未被光阻覆盖的部分而达到蚀刻的目的这种蚀刻方式也就是所谓的湿式蚀刻因为湿式蚀刻是利用化学反应来进行薄膜的去除而化学反应本身不具方向性因此湿式蚀刻过程为等向性一般而言此方式不足以定义3微米以下的线宽但对于3微米以上的线宽定义湿式蚀刻仍然为一可选择采用的技术湿式蚀刻之所以在微电子制作过程中被广泛的采用乃由于其具有低成本高可靠
专栏/ 知识园地
光刻技术流程集成电路制造中利用光学- 化学反应原理和化学物理刻蚀方法将电路图形传递到单晶表面或介质层上形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术随着半导体技术的发展光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了23个数量级(从毫米级到亚微米级)已从常规光学技术发展到应用电子束 X射线微离子束激光等新技术使用波长已从4000埃扩展到 0.1埃数量级范围光刻技术成为一种精密的微细加工技术工艺流程两种工艺 常规光刻
光刻技术材料科学与工程材料0302陈海波012003005125定义:光刻实在光的作用下使图像从母版向另一种介质转移的过程母板就是光刻胶是一种有透光区和不透光区组成的玻璃板光刻技术的发展半导体技术的飞速发展一直遵循着摩尔定律即每隔约18—24个月单个芯片上晶体管数目将增加一倍 集成电路已经从60年代的每个芯片上仅几十个期间法转到现在的每个芯片可包含约上一个器件Intel1993年推出的奔腾芯片
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级Jincheng Zhang掌握光刻胶的组成PR 和 –PR的区别描述光刻工艺的步骤四种对准和曝光系统Explain relationships of resolution and depth of focus to wavelength and numerical aperture.光刻概述 Photolithography
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级2015128?? 光刻机简介目录1光刻的基本简介2光刻的一般流程3光刻胶简介4光刻掩模简介5光刻机简介6光刻与我们光刻的基本简介光刻:利用照相复制与化学腐蚀相结合的技术在工件表面制取精密微细和复杂薄层图形的化学加工方法 光刻是生产半导体元器件时的一个工业步骤该步骤将印在光掩膜上的外形结构转移到基质的表
简介?在积体电路制造过程中常需要在晶圆上定义出极细微尺寸的图案(图案)这些图案主要的形成方式乃是藉由蚀刻(蚀刻)技术将微影(微光刻)后所产生的光阻图案忠实地转印至光阻下的材质上以形成积体电路的复杂架构因此蚀刻技术在半导体制造过程中占有极重要的地位?广义而言所谓的蚀刻技术包含了将材质整面均匀移除及图案选择性部份去除的技术而其中大略可分为湿式蚀刻(湿蚀刻)与干式蚀刻(干式蚀刻)两种技术?早期半导
蝕刻因子蝕刻函數蝕銅除了要作正面向下的溶蝕外蝕液也會攻擊線路兩側無保護的銅稱之為側蝕(Undercut)因而造成如香菇般的蝕刻品質問題Etch Factor即為蝕刻品質的一種指標Etch Factor一詞在美國(以IPC為主)的說法與歐洲的解釋恰好相反美國人的說法是正蝕深度與側蝕凹鍍之比值故知就美國說法是蝕刻因子越大品質越好歐洲則恰好相反其因子卻是愈小愈好很容易弄錯下圖為阻劑後直接蝕銅結果的明確比
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