中国科学
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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第 5 章 光学光刻光刻曝光刻蚀光源曝光方式 光刻概述 评价光刻工艺可用三项主要的标准:分辨率对准精度和生产效率定义:光刻:是利用类似于洗印照片的原理通过曝光和选择性化学腐蚀等工序将掩膜版上的集成电路图形印制到硅片上的精密表面加工技术 目的:在二氧化硅氮化硅多晶硅和金属等薄膜表面的光刻胶上形成与掩膜版完全对应的几
第 14 卷 第1 期
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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第八章 光刻与刻蚀工艺主 讲:毛 维midian126 西安电子科技大学微电子学院绪论光刻:通过光化学反应将光刻版(mask)上的图形 转移到光刻胶上刻蚀:通过腐蚀将光刻胶上图形完整地转移到Si片上光刻三要素: ①光刻机 ②光刻版(
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级微电子工艺学Microelectronic Processing第六章 光刻与刻蚀工艺张道礼 教授Email: zhang-daoli163Voice: 87542894图形转移光 刻刻 蚀薄膜制备掺 杂 扩散掺杂离子注入掺杂物理气相淀积化学气相淀积外 延微电子单项工艺6.1 概述
微米纳米技术研究中心Institute of Micro and Nano Technology.NUC.EDU单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式MEMS工艺 ——光刻技术石云波 3920397(O)shiyunbonuc.edu主要内容光刻技术光刻技术的发展制版软光刻1.光刻( Lithography )
硅的深刻蚀技术硅RIE刻蚀的基本原理含有F Cl BrI单质或者化合物气体均可以作为硅的刻蚀剂添加一些辅助气体有助于提高它的选择性常用刻蚀剂组合如:CF4O2 CF2CL2 CF3CL SF6O2CL2CCL4 NF3 CCL4 CHF3等不管上述哪一种化合物作为刻蚀剂在等离子体中都会存在大量的卤素原子它们以化学吸附方式与硅表面结合在没有外力作用的情况下反应生成的产物分离的速率很慢特别是Cl
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