单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级2011-03-24??IGBT 参数VCES: VGE=0 ?the maximum voltage between the C and E V (BR) CES:TJ =25VGE=0 and IC = 500μA ?VCEVGE:VCE=0 ?the maximum voltage between the G and E

IGBT的基础知识－－IGBT的基本结构参数选择使用新闻来源：互联网 ?? 发布时间：2012-02-03　　　　1.IGBT的基本结构　　绝缘栅双极晶体管(IGBT)本质上是一个场效应晶体管只是在漏极和漏区之间多了一个 P 型层根据国际电工委员会的文件建议其各部分名称基本沿用场效应晶体管的相应命名　　图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构N区称为源区附于其上的电极称为源极 N 区

高压变频器的工作原理与性能特点 一高压变频器的基本构成： 1高压变频器的构成： 内部是由十八个相同的单元模块构成每六个模块为一组分别对应高压回路的三相单元供电由移相切分变压器进行供电(原理图) 2功率单元构成： 功率单元是一种单相桥式变换器由输入切分变压器的副边绕组供电经整流滤波后由4个IGBT以PWM方法进行控制产生设定的频率波形变频器中所有的功率单元电路的拓扑结构相同实行模块化的设计其

一什么是IGBT IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)绝缘栅极型功率管是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件应用于交流电机变频器开关电源照明电路牵引传动等领域 IGBT是强电流高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道而这个通道却具有

Klicken Sie um die Textformatierung des Masters zu bearbeiten.Zweite EbeneDritte EbeneKlicken Sie um das Format des Titel-Masters zu bearbeiten.Semikron Hong KongNorbert Pluschke 07.10.2005IGBT Gate

IGBT原理及特点(1)2009-10-09 20:43IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)绝缘栅双极型晶体管是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点GTR饱和压降低载流密度大但驱动电流较大MOSFET驱动功率很小开关速度快但导通压降大

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)绝缘栅 HYPERLINK :baike.baiduview295815.htm t _blank 双极型晶体管是由BJT(双极型 HYPERLINK :baike.baiduview3794.htm t _blank 三极管)和MOS( HYPERLINK :

1.IGBT的基本结构绝缘栅双极晶体管(IGBT)本质上是一个场效应晶体管只是在漏极和漏区之间多了一个 P 型层根据国际电工委员会的文件建议其各部分名称基本沿用场效应晶体管的相应命名 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构N区称为源区附于其上的电极称为源极 N 区称为漏区器件的控制区为栅区附于其上的电极称为栅极沟道在紧靠栅区边界形成在漏源之间的P型区(包括P和P一区)(沟道在该区域

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级IGBT电路工作原理电路分析工作原理IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)绝缘栅双极型晶体管是由GTR(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件 兼有MOSFET的高输入阻抗

IGBT模块工作原理以及检测方法IGBT模块简介??? IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件其输入极为MOSFET输出极为PNP晶体管它融和了这两种器件的优点既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点其频率特性介于MOSF

缓冲电路(独立运行光伏发电系统功率控制研究-----内蒙古工业大学硕士论文)开关管开通和关断理论上都是瞬间完成的但实际情况开关管关断时刻下降的电流和上升的电压有重叠时间所以会有较大的关断损耗为了使IGBT关断过程电压能够得到有效的抑制并减小关断损耗通常都需要给IGBT主电路设置关断缓冲电路通常情况下在设计关于IGBT的缓冲电路时要综合考虑从IGBT应用的主电路结构器件容量以及要满足主电路各种

IGBT: 仙童全新原装环保 SGH80N60UFD??????80A 600VIGBT. 仙童. TO-3P封装. SGL160N60UFD???? 160A600VIGBT. 仙童. TO-264封装?? FGL60N100BNTD????60A1000VIGBT 仙童. TO-264封装 SGH40N60UFDTU????40A600V IGBT.仙童. TO-3P封装?? FGL40

缓冲电路(独立运行光伏发电系统功率控制研究-----内蒙古工业大学硕士论文)开关管开通和关断理论上都是瞬间完成的但实际情况开关管关断时刻下降的电流和上升的电压有重叠时间所以会有较大的关断损耗为了使IGBT关断过程电压能够得到有效的抑制并减小关断损耗通常都需要给IGBT主电路设置关断缓冲电路通常情况下在设计关于IGBT的缓冲电路时要综合考虑从IGBT应用的主电路结构器件容量以及要满足主电路各种

IGBT驱动电　　本文在分析了IGBT驱动条件的基础上介绍了几种常见的IGBT驱动电路设计了一种基于光耦HCPL-316J的IGBT驱动电路实验证明该电路具有良好的驱动及保护能力 　　　　绝缘门极双极型晶体管(Isolated Gate Bipolar Transistor简称IGBT)是复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件具有输入阻抗高工作速度快热稳定性好驱动电路简

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级绝缘栅双极晶体管IGBTGTR和GTO的特点——双极型电流驱动有电导调制效应通流能力很强开关速度较低所需驱 动功率大驱动电路复杂MOSFET的优点——单极型电压驱动开关速度快输入阻抗高热稳定性好所需驱动功率小而且驱动电路简单两类器件取长补短结合而成的复合器件—Bi-MOS器件?绝缘栅双极晶体管(Insulated-gate B

西安科技大学高新学院《电力电子技术》课程设计报告 课题名称 单相交直交变频系统设计 专业班级 学 号 姓 名 指导教师 2009-07-08课题：单相交直交变频系统设计参数要求：1．降压比2：1100W2．尽可能使用集成块3．使用IGBT设计主回路4．触发回路使用SPWM脉冲一 方案论证 采用SPWM正弦波脉宽调制通过改变调

IGBT 耗散功率计算不管是正常负荷还是超负荷IGBT安全工作必须确保结温不超过一 关于IGBT及损耗IGBT模块由IGBT本部和续流二极管FWD组成各自发生的损耗的合计为IGBT模块整体损耗同时IGBT的损耗又分为通态(稳态)损耗和交换(开关)损耗通态损耗可通过稳态输出特性计算交换损耗可通过交换损耗-集电极电流特性来计算二 IGBT(本部)耗散功率计算通态功耗的计算IGBT通态平均功耗是

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二层第三层第四层第五层第七章 绝缘栅双极晶体管 (IGBT)§7.1 原理与特性一概述 IGBT—— Insulated Gate Bipolar Transistor 近年来出现了许多新型复合器件它们将前述单极型和双极性器件的各自优点集于一身扬长避短使其特性更加优越具有输入阻抗高工作速度快通态电压

SVG动态无功补偿装置原理一．工作原理STA-的基本原理是利用可关断大功率电力电子器件(如IGBT)组成自换相桥式电路经过电抗器并联在电网上适当地调节桥式电路交流侧输出电压的幅值和相位或者直接控制其交流侧电流就可以使该电路吸收或者发出满足要求的无功电流实现动态无功补偿的目的品采用基于瞬时无功功率理论的无功电流检测方式逆变主电路采用IGBT组成的H桥功率单元级联拓扑结构并辅助以小容量储

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级2008年9月IGBT 的介绍及应用 电磁炉应用LiuY目 录1 IGBT 的构造和基本特征2 IGBT芯片发展以及Trend IGBT 特性分析1：600V IR Trend IGBT 特性分析和其他IGBT性能比较2：1200VIR Trend IGBT 特性分析和其他IGBT性能比较3电磁炉原理介绍拓