Claire KaoLED chip process flowAlInGaN LED WaferM.Q.W.AlInGaN LED WaferM.Q.W.Photolithograph mesa profileICP dry-etching mesa profileRemove PRPECVD SiO2 current blocking (SCB)Photolithograph SCB profi

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第 7 章 光学光刻光刻曝光刻蚀光源曝光方式 7.1 光刻概述 评价光刻工艺可用三项主要的标准：分辨率对准精度 和生产效率涂光刻胶(正)选择曝光 光刻工艺流程显影(第 1 次图形转移)刻蚀(第 2 次图形转移)光源紫外光(UV)深紫外光(DUV) g 线：436 nm i

微电子工艺基础Click to edit Master title styleClick to edit Master text stylesgood1Second levelgood2Third levelgood3Fourth levelgood4Fifth levelgood5 Harbin Institute of Technology in WeiHai

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级微电子工艺学Microelectronic Processing第六章 光刻与刻蚀工艺张道礼 教授Email: zhang-daoli163Voice: 87542894图形转移光 刻刻 蚀薄膜制备掺 杂 扩散掺杂离子注入掺杂物理气相淀积化学气相淀积外 延微电子单项工艺6.1 概述

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第八章 基本光刻工艺流程 光刻的目的和意义第四章已做过简单的描述这一章主要介绍基本光刻工艺中的表面准备至曝光的工艺步骤及光刻胶的特性8.1 简介 光刻工艺首先是 在晶园表面建立尽可 能接近设计规则中所 要求尺寸的图形其 次是在晶园表面正确 定位图形 因为最终的图形是用多个掩膜

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级光刻工艺和刻蚀工艺未来几代硅技术对光刻的要求DRAM供货的首年199719992003200620092012DRAM位片256M1G4G16G64G256G最小特征尺寸nm-孤立线条MPU200140100705035最小特征尺寸nm-密集线条DRAM2501801301007050接触孔2802001401108060栅C

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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级光刻工艺和刻蚀工艺未来几代硅技术对光刻的要求DRAM供货的首年199719992003200620092012DRAM位片256M1G4G16G64G256G最小特征尺寸nm-孤立线条MPU200140100705035最小特征尺寸nm-密集线条DRAM2501801301007050接触孔2802001401108060栅C

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级掩膜板的制造原理投影掩膜版与掩膜版 投影掩膜版是一个石英版它包含了要在硅片上重复生成的图形这种图形可能仅包含一个管芯也可能是几个投影掩膜版指的是对于一个管芯或一组管芯的图形 光刻掩膜版：它是一块石英版包含了对于整个硅片来说确定一工艺层所需的完整管芯阵列 掩膜版是的制造工艺是关系到集成电路的质量和集成度的重要工序

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级Jincheng Zhang掌握光刻胶的组成PR 和 –PR的区别描述光刻工艺的步骤四种对准和曝光系统Explain relationships of resolution and depth of focus to wavelength and numerical aperture.光刻概述 Photolithography