单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级清华大学航空航天学院lili.zhengsunysb.edu美国纽约州立大学石溪分校郑丽丽纽约州立大学石溪分校(七月底)清华大学航空航天学院 (八月始)2008年6月7日晶体硅生长计算机仿真及优化 报告内容HEMDSS硅定向凝固简介硅定向凝固的控制要求界面控制凝固的可能方案界面位置确定的简单方法定向凝固炉的未来改进方向结论与致
Click to edit Master text stylesSecond levelThird levelFourth levelFifth levelClick to edit Master title style内部文件V1.0Click to edit Master text stylesSecond levelThird levelFourth levelFifth levelClic
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级FEMAGSoft ? 2013Prediction of Oxygen and Species Concentrations in the Crystal3. Species transport FEMAGSoft ? 2013Crucible radi
1 ?第一章 半导体工业—3生产阶段 by r53858固态器件的制造有四个不同的阶段(图1.19) 它们是材料准备晶体生长和晶圆准备晶圆制造封装 在第一个阶段材料准备(见第二章)是半导体材料的开采并根据半导体标准进行提纯硅是以沙子为原料通过转化成为具有多晶硅结构的纯硅(图1.21) 在第二个阶段材料首先形成带有特殊的电子和结构参数的晶体再进行晶体生长之后在晶体生长和晶圆准备(见第三章)工艺
目 录 TOC o 1-3 h z u HYPERLINK l _Toc289147682 1. 背景 PAGEREF _Toc289147682 h 2 HYPERLINK l _Toc289147683 2. 蓝宝石晶体的应用 PAGEREF _Toc289147683 h 2 HYPERLINK l _Toc289147684 2.1 透红外窗口材料
目 录 TOC o 1-3 h z u HYPERLINK l _Toc289147682 1. 背景 PAGEREF _Toc289147682 h 2 HYPERLINK l _Toc289147683 2. 蓝宝石晶体的应用 PAGEREF _Toc289147683 h 2 HYPERLINK l _Toc289147684 2.1 透红外窗口材料
Cliquez pour modifier le style du titreCliquez pour modifier les styles du texte du masqueDeuxième niveauTroisième niveauQuatrième niveauCinquième niveau全球半导体晶体生长计算著名的商业软件FEMAG浮区法进行晶体生长 Roman Rolinsky
INFO130024.01集成电路工艺原理第二章 晶体生长集成电路工艺原理 仇志军zjqiufudan.edu邯郸校区物理楼435室1上节课主要内容CMOS工艺:光刻氧化扩散刻蚀等硅技术的历史沿革和未来发展趋势:晶体管的诞生集成电路的发明平面工艺的发明CMOS技术的发明摩尔定律(Moores law)VLSISoCSIPConstant-field等比例缩小原则ITRS:技术代节点2大纲
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第八章 晶体生长简介第八章 晶体生长简介一成核 成核是一个相变过程即在母液相中形成固相小晶芽这一相变过程中体系自由能的变化为: ΔG=ΔGvΔGs 式中△Gv为新相形成时体自由能的变化且△Gv<0 △GS为新相形成时新相与旧相界面的表面能且△GS>0 也就是说晶核的形成一方面由于体系从液相转变为内
集成电路工艺原理第十二章 未来趋势与挑战INFO130024.01集成电路工艺原理 仇志军zjqiufudan.edu邯郸校区物理楼435室1大纲 第一章 前言第二章 晶体生长第三章 实验室净化及硅片清洗第四章 光刻第五章 热氧化第六章 热扩散第七章 离子注入第八章 薄膜淀积第九章 刻蚀第十章