晶体是在物相转变的情况下形成的物相有三种即气相液相和固相由气相液相?固相时形成晶体固相之间也可以直接产生转变 2.晶体形成的热力学条件(掌握)热力学条件满足后晶体开始生长晶体生长的一般过程是先形成晶核然后再逐渐长大.三个生长阶段: 介质达到过饱和或者过冷却阶段 成核阶段nucleation(均匀成核非均匀成核) 生长阶段crystal growth一个细小的晶体出现后是否能长大决
桂林电子科技大学单晶从原料到磨光晶片的制造流程(1)若初始掺杂重量为C0M0积分(4)可得定义一有效分凝系数悬浮区熔法砷化镓晶体的生长技术-起始材料材料特性-晶片切割面缺陷-孪晶和晶粒间界外延是在单晶上生长一层同质或异质的薄膜层衬底晶片可以作为晶体籽晶与先前描述的单晶生长不同在于外延生长温度低于熔点许多(3050)常见的外延工艺有:CVD和MBE化学气相沉积(CVD)也称为气相外延(Vapor-p
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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第三章 晶体结构主要内容 1.晶体学的基本概念晶胞基本概念及主要类型 2.金属晶体金属健及金属晶体的堆积类型 3.离子晶体离子健离子晶体的基本类型及离子晶体结构模型 4.分子晶体和原子晶体3-1 晶 体晶体的宏观特征: 自范性:晶体能够自发地呈
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第三章 晶体结构材料科学基础 许多材料是以基本的积木按一定间隔规则的排列方式结晶的这样的材料称为晶体它们的实际结构由其键的性质和系统能量最低的要求所决定材料的性质取决于键的性质而晶体结构又是键性质的重要表现形式短程有序SRO 在一个中心原子周围的最近邻原子的局部排列长程有序LRO
第八章 生长速率起伏和生长层晶体生长速率起伏影响杂质分凝于是杂质分布出现生长层生长层影响晶体质量及均匀性微区均匀性但它又是研究晶体生长机制的有利工具§1 生长条纹(旋涡)生长速率引起杂质起伏适应于稳态分凝生长层形态旋转生长层热场中心与晶体旋转几何中心不重合偏心距大生长起伏愈大在直拉法中设在稳态温场下且固液界面的温度恒为凝固温度Tm生长速率等于单位时间内晶体相对于T=Tm等温面的位移先求生长
INFO130024.01集成电路工艺原理第二章 晶体生长集成电路工艺原理 仇志军zjqiufudan.edu邯郸校区物理楼435室1上节课主要内容CMOS工艺:光刻氧化扩散刻蚀等硅技术的历史沿革和未来发展趋势:晶体管的诞生集成电路的发明平面工艺的发明CMOS技术的发明摩尔定律(Moores law)VLSISoCSIPConstant-field等比例缩小原则ITRS:技术代节点2大纲
内容简介晶体材料在功能材料中占有重要地位这是由于它具有一系列独特的物理性能所决定的常见的晶体材料有:定义: 晶体当受到强电磁场作用时由于非线性极化引起非线性光学效应目的: 是实现光频率的转化:由于非线性光学晶体可以通过其倍频和差光参量放大和多光子吸收等非线性过程改变入射光和发射光频率的变化 (3)电光晶体定义: 通过拉伸或压缩使晶体产生极化导致晶
智立方中学生VIP学习中心 | 人广校区上海市福州路465号上海书城4楼成长热线: 33666416 第三章 晶体教学目标1.进一步了解物质分类的方法,理解晶体的概念。(重点)2.理解晶体与非晶体的差异。(难点)3.初步了解晶体的分类和各种晶体的特点。 一、知识梳理1.晶体的定义:自然界的固态物质可分为晶体和非晶体两大类。原子、离子、分子等微粒在空间有规则地排列成具有一定几何形状的固体物质叫做晶体
智立方中学生VIP学习中心 | 人广校区上海市福州路465号上海书城4楼成长热线: 33666416 第三章 晶体教学目标1.进一步了解物质分类的方法,理解晶体的概念。(重点)2.理解晶体与非晶体的差异。(难点)3.初步了解晶体的分类和各种晶体的特点。 一、知识梳理1.晶体的定义:自然界的固态物质可分为晶体和非晶体两大类。原子、离子、分子等微粒在空间有规则地排列成具有一定几何形状的固体物质叫做晶体
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