INFO130024.01集成电路工艺原理第二章 晶体生长集成电路工艺原理 仇志军zjqiufudan.edu邯郸校区物理楼435室1上节课主要内容CMOS工艺:光刻氧化扩散刻蚀等硅技术的历史沿革和未来发展趋势:晶体管的诞生集成电路的发明平面工艺的发明CMOS技术的发明摩尔定律(Moores law)VLSISoCSIPConstant-field等比例缩小原则ITRS:技术代节点2大纲
内容简介晶体材料在功能材料中占有重要地位这是由于它具有一系列独特的物理性能所决定的常见的晶体材料有:定义: 晶体当受到强电磁场作用时由于非线性极化引起非线性光学效应目的: 是实现光频率的转化:由于非线性光学晶体可以通过其倍频和差光参量放大和多光子吸收等非线性过程改变入射光和发射光频率的变化 (3)电光晶体定义: 通过拉伸或压缩使晶体产生极化导致晶
材料的结构 有两个层次一种是原子尺度的结构(atomic-scale architecture)在材料学中常称为晶体结构或相结构(Crystallinelattice structure)对应有晶体(crystal)和非晶体(non-crystal)微观尺度的结构(microscopic-scale architecture)在材料学科中常称为显微组织(microstructure)对应于金相(
晶体是在物相转变的情况下形成的物相有三种即气相液相和固相由气相液相?固相时形成晶体固相之间也可以直接产生转变 2.晶体形成的热力学条件(掌握)热力学条件满足后晶体开始生长晶体生长的一般过程是先形成晶核然后再逐渐长大.三个生长阶段: 介质达到过饱和或者过冷却阶段 成核阶段nucleation(均匀成核非均匀成核) 生长阶段crystal growth一个细小的晶体出现后是否能长大决
Title goes hereVLSI Circuits Design CMOS Inverter DEVICEVoutVout = 0CMOS PropertiesVGS = = - (V)Vin = = 1VVout (V)CMOS Inverter - 2VDSAT(V)- x definition VIH and VIL are where dVoutdVin = -1 (= ga
五晶体定向和晶面符号一)晶体定向 晶体定向在矿物鉴定矿物形态内部构造和物理性质的研究工作中具有重要的意义晶体定向:在晶体上建立一个三维空间坐标系统在晶体上选择坐标轴和确定每个轴上的度量单位α = β= y轴∧ z轴= z轴∧ x轴= μ轴∧ z轴=90°γ= x轴∧ y轴= y轴∧ μ轴= μ轴∧ x轴=120 °4)各晶系的晶体定向方法 由于各晶系对称特点不同晶轴的选择方法和晶
Cliquez pour modifier le style du titreCliquez pour modifier les styles du texte du masqueDeuxième niveauTroisième niveauQuatrième niveauCinquième niveau全球半导体晶体生长计算著名的商业软件FEMAG浮区法进行晶体生长 Roman Rolinsky
FEMAGSoft ? 2010FEMAGSoft ? 2010 半导体和光伏产业中的当前热点都与提高晶体生长产量和质量有关垂直型:Cusp :水平型:在热应力的某个区域晶体是处于亚稳态的某种微扰能对于其离开亚稳态是必要的在该模型中可以了解到晶体能承受的应力要大于拉伸测试的临界值根据位错形成的经典理论位错的形成开始于生长界面附近某区域其应力达至最大值位错继而会向晶体深处生长在应力比较高的区
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级FEMAG晶体生长模拟软件Global Simulation of Czochralski Silicon Growth under the Effectof a Transverse Magnetic FieldFEMAGSoft ? 2013Cz Si growth under a TMF MHD boundary lay
应用领域直拉法晶体生长的三维应力分布FEMAG-FZ区熔法模拟软件为晶粒生长研究所进行的定向凝固速度分布预测
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