ECV测试原理及相关分析工艺部 王永伟 ECV测试原理内 容 简 介 ECV背景介绍 ECV测试常见问题及分析 ECV测试曲线的理解第一部分ECV背景介绍ECV背景介绍对于半导体器件的设计和制造而言器件中载流子浓度掺杂厚度以及杂质分布都是必须严格控制的参数就要求对载流子的浓度及分布有更精确可靠的测量目前业界已有几种表征杂质浓度分布的方法如扩展电阻法电容-电压法(C-V )二次离子质谱 (SIMS

Click to edit Master text stylesSecond LevelThird levelFourth levelClick to edit Master title stylembist1.10Cheng-Wen Wu NTHUTesting Semiconductor MemoriesLab for ReliableputingDept. Electrical En

Click to edit Master text stylesSecond levelThird levelFourth levelFifth levelClick to edit Master title style基本测试原理基本测试原理为什么半导体产品需要测试 对于半导体产品我们需要的不仅是制作更需要在制作完成后验证其性能参数是否符合规格要求只有符合产品电参数要求的芯片才可以交付给

晶圆测试Wafer probe 在半导体制程上主要可分成IC设计晶圆制程(Wafer Fabrication简称Wafer Fab)晶圆测试(Wafer Probe)及晶圆封装(Packaging)晶圆测试是对芯片上的每个晶粒进行针测在检测头装上以金线制成细如毛发之探针(probe)与晶粒上的接点(pad)接触测试其电气特性不合格的晶粒会被标上记号而后当芯片依晶粒为单位切割成独立的晶粒时标有

单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级王永东北大学真空与流体工程研究中心导师：李建昌四点探针测试技术Four Point Probe Technology 四点探针(四探针)是半导体行业薄膜和表面科学领域最为常用的电学表征工具用四根探针代替两个探针对样品的电阻率或电导率进行测量能够消除探