e集电区b(c)平面管结构剖面图ICCBNc一晶体管处于放大状态的偏置条件:发射结正偏集电结反偏 cBCBcBCBO共基极EUENICCBN2-2 晶体管伏安特性曲线及参数BeE113. 截止区14PRI基区宽度↓ UA(厄尔利电压)临界饱和:UCE = UBE即UCB=0(C结零偏)三个电极均为反向电流所以数值很小23252-2 晶体管伏安特性曲线及参数※ PCM 表示集电极上允许损耗
CR(U(加入交流信号电路中信号处于变化状态)分析对象:交流成分→交流通路RC-Io特点:形象直观对理解放大原理波形关系及非线性失真有帮助但对于小信号放大器用图解法难以准确地进行定量分析 0U2-4 放大电路的静态分析和设计I( 2-4-1 晶体管的直流模型和静态工作点的估算ERUBERβIU ui波形图uuuo=UCEQ=UCE(sat)=CUBB - UBE(on) =IBQRB(1β)IB
CR(U(加入交流信号电路中信号处于变化状态)分析对象:交流成分→交流通路RC-Io特点:形象直观对理解放大原理波形关系及非线性失真有帮助但对于小信号放大器用图解法难以准确地进行定量分析 0U2-4 放大电路的静态分析和设计I( 2-4-1 晶体管的直流模型和静态工作点的估算ERUBERβIU ui波形图uuuo=UCEQ=UCE(sat)=CUBB - UBE(on) =IBQRB(1β)IB
模拟电子技术 三极管的结构特点:(1)发射区的掺杂浓度>>集电区掺杂浓度(2)基区要制造得很薄且浓度较低集电结P发射极集电结反偏: 晶体管的电流放大—载流子传输 晶体管的电流放大—电流分配得:ICBO:发射极开路时cb之间的反向电流这一电流相当于单个pn结的反向漏电流同理可作出iB=其他值的曲线
第二级第三级第四级第五级第2章 双极型晶体管及其放大电路第2章 双极型晶体管及其放大电路 2–1 双极型晶体管的工作原理 2–2 晶体管伏安特性曲线及参数2–3 晶体管工作状态分析及偏置电路2–4 放大器的组成及其性能指标2–5 放大器图解分析法2–6 放大器的交流等效电路分析法2–7 共集电极放大器和共基极放大器2–8 放大器的级联 2–1 双极型晶体管的工作原理
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级3 双极型三极管及其放大电路3.2 共射极放大电路3.3 图解分析法 3.4 小信号模型分析法3.5 放大电路的工作点稳定问题 3.6 共集电极电路和共基极电路3.7 放大电路的频率响应3.1 半导体BJT13.1 双极型三极管(BJT) 又称半导体三极管晶体管或简称为三极管(Bipol
2–1 双极型晶体管的工作原理 图2–2晶体管内载流子的运动和各极电流 式中: 显然 <1一般约为 一电流放大系数 1共发射极直流电流放大系数 和交流电流放大系数β 和β分别由式(2–2)(2–10)定义其数值可以从输出特性曲线上求出 2 共基极直流电流放大系数
2–1 双极型晶体管的工作原理 图2–2晶体管内载流子的运动和各极电流 式中: 显然 <1一般约为 一电流放大系数 1共发射极直流电流放大系数 和交流电流放大系数β 和β分别由式(2–2)(2–10)定义其数值可以从输出特性曲线上求出 2 共基极直流电流放大系数
模拟电子技术基础Fundamentals of Analog Electronic 第四章 晶体三极管及其基本放大电路第四章 晶体三极管及其基本放大电路§ 晶体三极管§ 放大电路的组成原则§ 放大电路的分析方法§ 晶体管放大电路的三种接法§ 放大电路的频率响应§ 晶体三极管一晶体管的结构和符号二晶体管的放大原理三晶体管的共射输入特性和输出特性四温度对晶体管特性的影响五主要参数 一晶体管的
§ 晶体三极管四温度对晶体管特性的影响大功率管 对于小功率晶体管UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线放大区<Uon ≤ uBE 交流参数:βαfT(使β1的信号频率)讨论二VBBRb:使UBE> Uon且有合适的IB 为什么放大的对象是动态信号却要晶体管在信号为零时有合适的直流电流和极间电压 要想不失真就要在信号的整个周期内保证晶体管始终
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