第二讲半导体器件概述(书第3、4
单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式第四章 Pn结二极管光电半导体实验室主要内容P-N结的静电学载流子注入(载流子浓度与电压的关系)准中性区内的扩散电流P-N结的暗特性光照特性太阳能电池的输出参数有限电池尺寸对I0的影响(自学)§1 P-N结的静电学一基本物理特性1. pp >>pn n n >>n p2. p区和n区多子分别向对方扩散3. 界面p区侧留下固
1PN结的形成漂移运动:载流子在电场作用下的定向运动。扩散运动:浓度差引起的非平衡载流子的运动。1)载流子的两种运动将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成PN结121 PN结及其单向导电特性1 多子扩散形成空间电荷区 建立内电场 少子漂移方向相反动态平衡I j = 02)PN结内电场的形成22 PN结的单向导电性1) PN结外加正向电压时处于导通状态外电场与内电场的方向相
(0)准备Mask 1PN结二极管的制备1腐蚀分为哪两种形式各有什么特点2选用腐蚀液要注意什么(7)杂质扩散在未被氧化层保护的区域形成了n-p结 (n中的号表示高掺杂)PN结二极管的制备黑色部分都是不透光的四周的白色部分是刻蚀金属的位置
空穴的情况与电子类似方法步骤:(1)扩散方程(2)边界条件(3)求解方程得到少子分布函数表达式(4)由少子分布函数求出流过pn结的电流 正偏时的过剩少子浓度分布小注入条件成立:当反向电流超过允许的最大值(如1mA或1?A)时对应的反向电压的绝对值称为击穿电压VBR.对于pn和np突变结二极管中击穿电压主要由轻掺杂一边的杂质浓度决定二极管的耗尽层宽度小于10-6cm轻掺杂一侧的杂质浓度高于1017c
#
华侨大学信息科学与工程学院 电子工程系厦门专用集成电路系统 重点实验室Copyright by Huang Weiwei华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室Spring 2011Spring 20112011-CH2-华侨大学信息学院电子工程系厦门专用集成电路系统重点实验室Spring 2011微电子器件与电路第二章 PN结主讲:黄炜炜Email:
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级 第二节 PN结一PN结制造工艺: 在一块P 型(或N型)半导体中掺入施主杂质(或受主杂质)将其中一部分转换为N型(或P型)这样形成的PN结保持了两种半导体之间晶格结构的连续性此制造工艺称为平面扩散法 实际的PN结均为不对称结它的P型和N型半导体具有不同的掺杂浓度其中P区掺杂浓度大于N
#
#
违法有害信息,请在下方选择原因提交举报