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内存储器—要求存取速度要快一般采用半导体存储器掩模ROM(不可改写ROM固定ROM)24线地址译码器A1输出缓冲器A0D0D2=1D0=1D3 D2 D1 D01 1Y3Y2UCCA0负载管D3A1A0=00由二极管构成的PROMA1Y2 EPROM的特点是:可以通过紫外线照射或 X射线照射擦除原来内容再通过通用或专用的编程器写入新的内容如果不对其进行照射原有内容可以长期
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级半导体器件模拟 一器件模拟技术和概念与发展简况 器件模拟是根据器件的杂质分布剖面结构利用器件模型通过计算机模拟计算得到半导体器件终端特性 器件模拟是一项模型的技术器件的实际特性能利用这种模型从理论上予以模拟因此它是一种可以在器件研制出来之前予示器件性能参数的重要技术半导体器件模拟 器件模拟有两种方法:一种是器件等效
内存储器—要求存取速度要快一般采用半导体存储器掩模ROM(不可改写ROM固定ROM)24线地址译码器A1输出缓冲器A0D0D2=1D0=1D3 D2 D1 D01 1Y3Y2UCCA0负载管D3A1A0=00由二极管构成的PROMA1Y2 EPROM的特点是:可以通过紫外线照射或 X射线照射擦除原来内容再通过通用或专用的编程器写入新的内容如果不对其进行照射原有内容可以长期
《半导体器件》教学大纲Semiconductor Devices课程编号:0712308课程性质:学科基础课适用专业:微电子学专业先修课程:半导体物理后续课程:集成电路原理总学分:3 其中实验学分:0教学目的与要求:本课程是微电子学专业的主干课之一通过对本课程的学习使学生了解和掌握集成电路中常用的结型半导体器件金属-半导体接触器件和金属-氧化物-半导体器件的工作原理
第1章半导体器件 半导体器件具有质量轻体积小寿命庆以及丁作可靠等特点是构成各种电子电路的核心元件因此学习掌握二极管稳压管晶体三极管和绝缘栅场效应管等常用半导体器件的结构工作原理特性曲线和主要参数是学习电子技术和分析电子电路必木可少的基础 对于半导体器件内部的微观物理过程只需简单地了解重点应掌握其外部特性和具体应用 PN结与半导体二极管.1 PN结的形成及其单向导电性 根据物质导电
单击此处编辑母版标题样式(1-)电子技术 第一章 半导体器件模拟电路部分1第一章 半导体器件§ 1.1 半导体的基本知识§ 1.2 PN 结及半导体二极管§ 1.3 特殊二极管§ 1.4 半导体三极管§ 1.5 场效应晶体管2§1.1 半导体的基本知识1.1.1 导体半导体和绝缘体导体:自然界中很容易导电的物质称为导体金属一般都是导体绝缘体:有的物质几乎不导电称为绝缘体如橡皮陶瓷塑料和石英半导
第4章 集成运算放大器及其应用b4每个原子周围有四个相邻的原子原子之间通过共价键紧密结合在一起两个相邻原子共用一对电子4多数载流子(简称多子)4 形成空间电荷区产生内电场 外壳用字母表示类型 半导体三极管E发射极E发射区:掺杂浓度最高发射极C从电位的角度看: NPN 发射结正偏 VB>VE集电结反偏 VC>
第4章 集成运算放大器及其应用b4每个原子周围有四个相邻的原子原子之间通过共价键紧密结合在一起两个相邻原子共用一对电子4多数载流子(简称多子)4 形成空间电荷区产生内电场 外壳用字母表示类型 半导体三极管E发射极E发射区:掺杂浓度最高发射极C从电位的角度看: NPN 发射结正偏 VB>VE集电结反偏 VC>
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