空穴O uD正偏电压 ? UD(on) 时导通 等效为恒压源UD(on)稳 压1. 断开二极管分析电路断开点的开路电压如果该电压能使二极管正偏且大于二极管的死区电压二极管导通否则二极管截止V1D2D2优先导通V2(b)ωtui (V)解:15KΩ6三极管1. 形式与结构IE = IC 工作电压(UBE(on) ) :ICBOICM与中间电位相差约一个导通电压(1) 硅管
下一页导通压降死区电压 若二极管是理想的正向导通时正向管压降为零反向截止时二极管相当于断开uoC(b) CT E ?0 直流通路–ui–C1–iC1. 直流通路估算 IBT动态:放大电路有信号输入(ui ?0)时的工作状态?ib 晶体管的BE之间可用rbe等效代替E输入电阻B估算法:I1RB1?线性区i––RF?uo?R3 — 净输入信号 若三者同
复习课主要内容:1 考试题型和范围2各章知识点1 题型和范围有4种题型:(1)填空题:每空1分,共20分;(2)单项选择题:每题2分,共20分;(3)分析题:共两小题,每题10分,共20分。(4)计算题:共四小题,每题10分,共40分。分别来自第2章、第3章、第6章和第7章。2 各章知识点第1章 半导体基础知识11 半导体基础知识(1)N型半导体和P型半导体基本概念及多子和少子。(2)PN结的形成
绪论模拟信号和数字信号 ·模拟信号:时间连续幅度连续的信号(图1.1.8)·数字信号:时间幅度离散的信号(图1.1.10)2.放大电路的基本知识·输入电阻:是从放大器输入口视入的等效交流电阻是信号源的负载从信号源吸收信号功率·输出电阻:放大器在输出口对负载而言等效为一个新的信号源(这说明放大器向负载输出功率)该信号源的内阻即为输出电阻·放大器各种增益定义如下:端电压增益:源电压增益:电流增
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级数字逻辑期末复习物联网工程1102班谭敏引例下面编码是十进制数的是( )A BCD码B ASCII码C 格雷码1. 概论2.逻辑代数3.组合逻辑电路4.锁存器与触发器5.时序逻辑电路1.数字逻辑基础1.1 数字电路与数字信号1.2 数制1.3 二进制数的算术运算1.4 二进制代码1.5 二值逻辑变量与基本逻辑运算1
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第一章 半导体器件一半导体基础知识:N型半导体在本征半导体中加入5价元素P型半导体在本征半导体中加入3价元素二半导体二极管1二极管的单向导通性604020– 0.002– 0.00400.51.0–25–50I mAU V正向特性死区电压击穿电压U(BR)反向特性加正向电压时导通呈现很小的正向电阻如同开关闭合 加反向电
模电复习第一章 半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si锗Ge)2.特性---光敏热敏和掺杂特性3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体 4. 两种载流子 ----带有正负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体体现的是半导体的掺杂特性 P型半导体: 在本征半导体中掺
第二章 基本放大电路第一节 放大的概念和放大电路的主要性能指标基本概念:放大知识点:1)在电子电路中放大的对象放大的本质2)放大的前提是不失真3)放大电路的指标要求:初步了解电子学中的放大的概念放大电路的指标第二节 集成运放中的电流源电路基本概念:电流源基准电流知识点:镜像电流源比例电流源微电流源威尔逊电流源的输出电流与基准电流的关系要求:了解各种电流源电路的特性及其输出电流的确定方法第四节
第一章 半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si锗Ge)2.特性---光敏热敏和掺杂特性3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体 4. 两种载流子 ----带有正负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体体现的是半导体的掺杂特性 P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价
零点漂移零点漂移可描述为:输入电压为零输出电压偏离零值的变化它又被简称为:零漂 零点漂移是怎样形成的: 运算放大器均是采用直接耦合的方式我们知道直接耦合式放大电路的各级的Q点是相互影响的由于各级的放大作用第一级的微弱变化会使输出级产生很大的变化当输入短路时(由于一些原因使输入级的Q点发生微弱变化 象:温度)输出将随时间缓慢变化这样就形成了零点漂移 产生零漂的原因是:晶体三极管的参数受温度的影响解决
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