相关文档

• 模电总结复习.doc

  第一章 半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si锗Ge)2.特性---光敏热敏和掺杂特性3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体 4. 两种载流子 ----带有正负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体体现的是半导体的掺杂特性 P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价

• 模电复习总结.doc

  零点漂移零点漂移可描述为：输入电压为零输出电压偏离零值的变化它又被简称为：零漂 零点漂移是怎样形成的： 运算放大器均是采用直接耦合的方式我们知道直接耦合式放大电路的各级的Q点是相互影响的由于各级的放大作用第一级的微弱变化会使输出级产生很大的变化当输入短路时（由于一些原因使输入级的Q点发生微弱变化 象：温度）输出将随时间缓慢变化这样就形成了零点漂移 产生零漂的原因是：晶体三极管的参数受温度的影响解决

• 模拟电路复习总结.ppt

  空穴O uD正偏电压 ? UD(on) 时导通 等效为恒压源UD(on)稳 压1. 断开二极管分析电路断开点的开路电压如果该电压能使二极管正偏且大于二极管的死区电压二极管导通否则二极管截止V1D2D2优先导通V2(b)ωtui (V)解：15KΩ6三极管1. 形式与结构IE = IC 工作电压(UBE(on) ) ：ICBOICM与中间电位相差约一个导通电压（1） 硅管

• 模电总结复习-模拟电子技术基础.docx

  模电复习第一章 半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si锗Ge)2.特性---光敏热敏和掺杂特性3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体 4. 两种载流子 ----带有正负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体体现的是半导体的掺杂特性 P型半导体: 在本征半导体中掺

• 冲模复习总结-.doc

  材控11级 冲模复习题第一章 概述冲压的概念：冷冲压是利用安装在压力机上的冲模对材料施加压力使其产生分离或塑性变形从而获得所需零件（俗称冲压件或冲件）的一种压力加工方法因为它通常是在室温下进行加工所以称为冷冲压冲压加工的特点:冷冲压不但可以加工金属材料而且还可以加工非金属材料和复合材料.冲压模具的概念:冲压模具是将材料加工成所需冲件的一种工艺装备冲压工序的分类：1.根据工艺性质分：分离工序和成型工

• 模电总复习.ppt

  单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级模电总复习 第一章 半导体器件第二章 放大电路的基本原理第三章 放大电路的频率特性第四章 集成运算放大器第五章 放大电路中的反馈第六章 模拟信号运算电路第七章 信号处理电路模拟电路内容回顾重点：从半导体中载流子的运动理解半导体二极管的单向导电性晶体管的放大作用和场效应管的工作原理重点是晶体管的外部特性和主要参数

• 模电总复习.ppt

  #

• 模电总复习.ppt

  基本要求 了解信号的描述及分类方法熟悉放大电路模型和放大电路主要性能指标输入电阻输出电阻增益频率响应及带宽失真同相比例反相比例加法电路减法电路积分微分放大条件2）动态工作情况分析小信号模型分析法5场效应管放大电路3）截止区无有源负载有有源负载反馈的分类—反馈的组态和极性的判断负反馈产生自激振荡的原因条件以及电路稳定的条件 掌握低通高通带通和带阻有源滤波电路的幅频响应特点了解一阶二阶滤波电路的频率特

• 模电复习小结.doc

  半导体器件要求：了解半导体器件的结构，理解半导体器件的工作原理，掌握应用和特性（二极管、三极管和场效应管）半导体的导电特性（掺杂特性、温度特性和光照特性）本征半导体、杂质半导体本征激发和载流子复合两种载流子（自由电子和空穴）两种运动（漂移运动和扩散运动）PN结和二极管：PN结的形成（多子的扩散和少子的漂移）空间电荷区（耗尽层、阻挡层、势垒区）二极管的单向导电性（正偏电流大，反偏电流小）二极管的

• 模电总结复习资料_模拟电子技术基础1.doc

  第一章 半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si锗Ge)2.特性---光敏热敏和掺杂特性3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体 4. 两种载流子 ----带有正负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体体现的是半导体的掺杂特性 P型半导体: 在本征半导体中掺入微量