单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级半导体制造工艺流程半导体相关知识本征材料:纯硅 9-10个9 250000Ω.cmN型硅: 掺入V族元素--磷P砷As锑SbP型硅: 掺入 III族元素—镓Ga硼BPN结:NP------半 导体元件制造过程可分为前段(Front End)制程 晶圆处理制程(Wafer Fa
半导体制造工艺 : PAGE : PAGE 1NPN高频小功率晶体管制造的工艺流程为:外延片——编批——清洗——水汽氧化——一次光刻——检查——清洗——干氧氧化——硼注入——清洗——UDO淀积——清洗——硼再扩散——二次光刻——检查——单结测试——清洗——干氧氧化——磷注入——清洗——铝下CVD——清洗——发射区再扩散——三次光刻——检查——双结测试——清洗——铝蒸发——四次
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1 ?第一章 半导体工业—3生产阶段 by r53858固态器件的制造有四个不同的阶段(图1.19) 它们是材料准备晶体生长和晶圆准备晶圆制造封装 在第一个阶段材料准备(见第二章)是半导体材料的开采并根据半导体标准进行提纯硅是以沙子为原料通过转化成为具有多晶硅结构的纯硅(图1.21) 在第二个阶段材料首先形成带有特殊的电子和结构参数的晶体再进行晶体生长之后在晶体生长和晶圆准备(见第三章)工艺
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级制造芯片的硅晶体的原理和过程方法 石逢园 基本概念 1.什么是硅晶体 2.什么
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国家重点基础研究发展规划项目 系统芯片中新器件新工艺的基础研究 2005.9.23 半导体工艺IC设计桥梁2D3D PDE 方法DD 模型HD 模型Monte Carlo 方法评估设计 纳米尺度下新材料新结构半导体器件高效率准确器件模型模拟是工艺和设计之间的桥梁集约模型结构网格杂质分布边界条件器件模型模拟必须适应纳米尺度CMOS器件的发展成为新器件结构设计的基础和工具Transistor Sc
将ITO和FPC放到测架上测试其数据是否OK主要对象为钢化玻璃目的是清洗掉钢化玻璃上的脏点油污等脏东西使用UV灯光将贴合OK的UV胶固化使用相应规格的包装材料(如:吸塑盘包装箱)按照规定数量将成品出货
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