单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级(1-)第五章场效应管放大电路 重点: 1.掌握场效应管的工作原理特性曲线 2.学会判断场效应管的工作状态 3.掌握场效应管放大电路(特别是结型场效应管 JFET放大电路)的分析方法1FET分类:
dg3?N沟道最宽即:预夹断前 vDS?→iD? 预夹断后 vDS? →iD几乎不变1dVGS= -1VVGS= -2VVGS=VP截止区7 vGS -(2)可变电阻区(线性区)判断: vGS >VP vDS≤vGS-VP特点:rds 是一个受vGS 控制的可变电阻 vGS越大 rds越小当VGS 足够大(如:vGS0)时场效应管DS端相当于:一个接通的开关gVGS= -1VVGS= -
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级 第四章 场效应管放大电路BJT的缺点:输入电阻较低 温度特性差场效应管(FET):利用电场效应控制其电流的半导体器件优点:输入电阻非常高(高达1071015欧姆)噪声低热稳定性好 抗辐射能力强工艺简单便于集成根据结构不同分为:结型场效应管(JFET)
5 场效应管放大电路4偏置: MOSFET放大电路 和上式联立求解VP(UGS(off) ) < uGS <0且uDS >0的情况自偏置电路
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MOSFET放大电路 N沟道增强型MOSFET1. 结构(N沟道) 产生电场但未形成导电沟道(感生沟道)ds间加电压后没有电流产生?电场强度减小vDS??夹断区延长 给定一个vGS 就有一条不同的 iD – vDS 曲线② 可变电阻区 vDS≤(vGS-VT)其中NMOS增强型 MOSFET的主要参数三极限参数 2. 图解分析1. 直流偏置及静态工作点的计算(2)
§ 场效应管放大电路 结型场效应管——结构DNGUDSUDS=0V时DPIDNUDSID转移特性曲线一定UDS下的ID-UGS曲线可变电阻区ID-4VJFET转移特性方程(N沟道)6.最大耗散功率PDM绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题D绝缘栅场效应管——结构与符号予埋了导电沟道 SPUGS=0时G当UDS不太大时导电沟道在两个N区间是均匀的UDSUGS耗尽型N沟道MOS管的特性曲线UGS<0P
5 场效应管放大电路51金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管53结型场效应管(JFET)*54砷化镓金属-半导体场效应管55各种放大器件电路性能比较52MOSFET放大电路P沟道耗尽型P沟道P沟道(耗尽型)场效应管的分类:51金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管511N沟道增强型MOSFET515MOSFET的主要参数512N沟道耗尽型MOSFET513P沟道MOSFET514沟道长度调制效应
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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第九讲 场效应管及其放大电路第九讲 场效应管及其放大电路一场效应管二场效应管放大电路静态工作点的设置方法三场效应管放大电路的动态分析四复合管一场效应管(以N沟道为例) 场效应管有三个极:源极(s)栅极(g)漏极(d)对应于晶体管的ebc有三个工作区域:截止区恒流区可变电阻区对应于晶体管的截止区放大区饱和区1. 结型场效应
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