设E→EdE之间无限小的能量间隔内有dZ个量子态定义单位能量间隔的量子态数为状态密度即: 因此可以求得导带底能量E附近单位能量间隔的量子态数即导带底附近的状态密度: f(E)称为费米分布函数EF 是费米能级k 是波耳兹曼常数T 是热力学温度当:E-EF>>kT 时上式变化为空穴导带底附近无限小的能量
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单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第八章 半导体物理基础第二讲赛北412-1郎婷婷langtingtingcjlu.edu 8.1 本征半导体和杂质半导体 8.2 半导体中的载流子浓度 8.3 载流子的漂移运动 8.4 非平衡载流子及其运动 8.5 PN结 主要内容n型半
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级 第二章 半导体器件基础 计 算 机 电 路 基 础怀化学院物理与信息工程系主讲:向 腊第2章 半导体器件基础学习要点:PN结的形成和单向导电性 二极管的伏安特性半导体三极管的基本结构工作原理三极管的伏安特性MOS场效应管的结构工作原理和伏安特性曲线结型场效应管的结构工作原理和伏安特性曲线第2章
Click to edit Master text stylesSecond levelThird levelFourth levelFifth level第二章 半导体器件基础计算机电路基础第二章半导体器件基础学习要点PN结的形成和单向导电性 二极管的伏安特性半导体三极管的基本结构工作原理三极管的伏安特性MOS场效应管的结构工作原理和伏安特性曲线结型场效应管的结构工作原理和伏安特性曲线2.3
半导体基础知识硅锗等半导体材料之所以得到广泛的应用主要是因为它们的导电能力具有一些特殊的方面 现代电子学中用的最多的半导体是硅和锗它们的最外层电子(价电子)都是四个共有价电子所形成的束缚作用.3 N 型半导体P 型半导体中空穴是多子电子是少子 杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流但由于数量的关系起导电作用的主要是多子近似认为多子与杂质浓度相等二极管的主要参数
单击此处编辑母版标题样式 特点:顶点和体心有格点 晶胞含2个格点{1.2 常见晶体结构一.在立方晶系的三个布拉菲晶胞中选取原胞1.简单立方2.体心立方晶胞基矢原胞基矢iiiiiijk k体积晶胞:原胞1个格点原胞:晶胞2个格点有何不同特点:顶点和面心有格点 晶胞含4个格点3. 面心立方ijk晶胞基矢原胞基矢体积晶胞:原胞:晶胞体积4个格点原胞1个格点二
Click to edit Master title styleClick to edit Master text stylesSecond levelThird levelFourth levelFifth level半导体变流技术 三相可控整流电路 第一节 三相半波可控整流电路 第二节 三相桥式全控整流电路 第三节 三相桥式半控整流电路 半导体变流技术第一节 三相半波可控
泉州师范学院理工学院 主讲人:袁放成多媒体教学课件 模拟电子技术基础(第四版) FundamentalsofAnalogElectronics华成英 童诗白 主编模拟电子技术课程教材参考教材: 电子技术基础(模拟部分)(第五版),华中科技大学电子技术课程组 康华光 主编,高等教育出版社,2006年。第四版华成英童诗白主编第四版华成英童诗白主编教材内容第0章 导言第1章 常用半导体器件第2章
模拟电子技术课程第四版华成英童诗白主编导言数字信号:时间上离散数值上离散的信号 2.自由电子-空穴对 3.空穴电流常用半导体器件杂质半导体的示意表示法--N 型半导体---1)PN结加正向电压
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