半导体材料系列的制造方法及应用技术1离子注入法制备GaN基稀释磁性半导体材料的方法2一种晶体半导体材料系列A2MM3Q63光致发光的半导体材料4在基体或块体特别是由半导体材料制成的基体或块体中切制出至少一个薄层的方法5具有可控制导电性的半导体材料及器件的制造6多孔半导体材料7半导体材料的制造方法及所用设备8改进的硼掺杂半导体材料及其制备方法9在材料(例如半导体材料)中加工亚微型槽的方法以及用这种方
pany Confidential 诚信 忍耐 探索 热情Faith Endurance Exploration Enthusiasm HANGZHOU SILAN INTEGRATED CIRCUIT CO. LTD Do Not Copy原题目:半导体材料应用技术及发展前景半导体材料对集成电路圆片
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牛 导
半导体技术论文高分子材料论文:半导体材料的发展现状摘 要 在半导体产业的发展中一般将硅锗称为第一代半导体材料将砷化镓磷化铟磷化镓等称为第二代半导体材料而将宽禁带(Eg>)的氮化镓碳化硅和金刚石等称为第三代半导体材料本文介绍了三代半导体的性质比较应用领域国内外产业化现状和进展情况等 关键词 半导体材料多晶硅单晶硅砷化镓氮化镓 1 前言 半导体材料是指电阻率在107Ω·cm10-3Ω·cm
纳米半导体材料在未来科技中的应用 过去一直通过湿化学方法利用集中化学物品之间的反应来制得量子点材料这种方法耗时长少则几个小时多则几天而且还会产生大量的污染物对环境造成负担相比湿化学方法而这种纳米半导体材料获得的量子点大小更均匀表面没有化学药物非常洁净并且利用激光可以根据实际需要变化力度精确控制半导体材料的具体尺寸 未来纳米半导体材料在疾病诊断水污染检测光电转换等领域发挥更加显
单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第十一章 半导体材料制备生长技术体单晶生长技术 单晶生长通常利用籽晶在熔融高温炉里拉伸得到的体材料 半导体硅的单晶生长可以获得电子级(99.999999)的单晶硅 外延生长技术 外延指在单晶衬底上生长一层新单晶的技术 新生单晶层的晶向取决于衬底由衬底向外延伸而成故称外延层晶体生长问题生长热力学生长动力学生长系
Vo1.30 No.6 2010
第一章 元素半导体 § 目前发现的元素半导体材料有SiGeC(金刚石)Seα-Sn(灰锡)P(磷)Te(碲)和B(硼)这8种曾认为AsSb和I是半导体但对它们的深入研究表明: AsSb是半金属 I是绝缘体Si 硅的化学性质 硅在元素周期表中也处于ⅥA族位置元素符号为Si原子序数14原子量具有金刚石晶体结构硅的地球储量仅次于氧高达主要以二氧化硅或金属的硅酸盐形式存在最纯的硅矿物是石英和硅石Si
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