#
第31 卷 第 4 期
万方数据
#
#
半导体单晶生长过程中的位错研究摘要:阐述了现有的半导体单晶位错模型即临界切应力模型和粘塑性模型的基本理论及应用状况分析了熔体法单晶生长过程中影响位错产生增殖的各种因素以及抑制位错增殖的措施与熔体不润湿与晶体热膨胀系数相近的坩埚材料低位错密度的籽晶可有效地抑制生长晶体的位错密度固液界面的形状及晶体内的温度梯度是降低位错密度的关键控制因素而两因素又受到炉膛温度梯度长晶速率气体和熔体对流等晶体生长工艺参
#
第 31 卷 第 5 期
第33 卷 第 6 期
#
违法有害信息,请在下方选择原因提交举报