#
实验42 巨磁电阻效应及其应用 人们早就知道过渡金属铁钴镍能够出现铁磁性有序状态量子力学出现后德国科学家海森伯(W. Heisenberg) 于明确提出铁磁性有序状态源铁磁性原子磁矩之间的量子力学交换作用这个交换作用是短程的称为直接交换作用后来发现很多的过渡金属和稀土金属的化合物具有反铁磁(或亚铁磁)有序状态化合物中的氧离子(或其他非金属离子)作为中介将最近的磁性原子的磁矩耦合起来这是间接交换作用
巨磁阻效应巨磁阻效应(Giant Magnetoresistance)是一种 E9878FE5AD90E58A9BE5ADA6 o 量子力学 量子力学和 E5879DE8819AE68081E789A9E79086E5ADA6 o 凝聚态物理学 凝聚态物理学现象 E7A381E998BBE69588E5BA94 o 磁阻效应 磁阻效应的一种可以在 E7A381E680A7 o
巨磁阻效应与磁盘革命周天宇 PB10000645zty0812@摘 要:文章简述了获得2007年诺贝尔物理学奖的巨磁阻效应的基本原理并介绍了其在磁盘读取方面中的应用,以及对社会产生的巨大影响。关键字:巨磁阻效应,GMR,磁盘存储量。1磁阻效应与巨磁阻效应物质在一定磁场下电阻改变的现象,称为磁阻效应。磁性金属和合金材料一般都有这中现象。一般情况下,物质的电阻率在磁场中仅发生微小的变化,在某种条件
磁阻效应及磁阻传感器的特性研究:陈伟灿 :PB06210479实验目的:了解磁阻效应的基本原理及测量磁阻效应的方法;测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系;画出锑化铟传感器电阻变化与磁感应强度的关系曲线,并进行相应的曲线和直线拟合;学习用磁阻传感器测量磁场的方法。实验原理:、磁阻效应是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。和霍尔效应一样,磁阻效应也是由于载流子在磁场中
通过霍尔效应测量磁场实验简介在磁场中的载流导体上出现横向电势差的现象是24岁的研究生霍尔(Edwin H Hall)在1879年发现的,现在称之为霍尔效应。随着半导体物理学的迅猛发展,霍尔系数和电导率的测量已经成为研究半导体材料的主要方法之一。通过实验测量半导体材料的霍尔系数和电导率可以判断材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等主要参数。若能测得霍尔系数和电导率随温度变化的关系,还可以求出半
实验题目:磁阻效应及磁阻传感器的研究实验目的:1 了解磁阻效应的基本原理及测量磁阻效应的方法2 测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系3 画出锑化铟传感器的电阻变化与磁感应强度的关系并进行相应的曲线和直线拟合4 学习用磁阻传感器测量磁场的方法实验原理:某些金属或半导体的载流子在磁场中收到洛伦兹力,电阻值会随外加磁场的变化而变化。这种效应称为磁阻效应。横向磁阻效应:当半导体处于磁场中时,导体或
瑞典皇家科学院9日宣布法国科学家阿尔贝·费尔(图左)和德国科学家彼得·格林贝格尔(图右)共同获得2007年诺贝尔物理学奖他们将分享1000万瑞典克朗(1美元约合7瑞典克朗)的奖金 这两名科学家获奖的原因是先后独立发现了巨磁电阻效应所谓巨磁电阻效应是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象根据这一效应开发的小型大容量计算机硬盘已得到广泛应用 瑞典皇家科学院在评价这项
实 验 报 告85PB07001095 蔡嘉铖 数学系081123【实验题目】磁阻效应及磁阻传感器的特性研究【实验目的】1、了解磁阻效应的基本原理及测量磁阻效应的方法;2、测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系;3、画出锑化铟传感器电阻变化与磁感应强度的关系曲线,并进行相应的曲线和直线拟合;4、学习用磁阻传感器测量磁场的方法。【实验原理】磁阻效应是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变
实 验 报 告85PB07001095 蔡嘉铖 数学系081123【实验题目】磁阻效应及磁阻传感器的特性研究【数据处理】1B006T原始数据为电流Is=1mA电磁铁InSbB~△R/R(0)对应关系IM/mAUR/VB/mTR/Ω△R/R(0)161710106250032258313420109677400434784651301108696
违法有害信息,请在下方选择原因提交举报