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? 1994-2010 China Ac
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第 17 卷 第 1 期
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硅单晶中晶体缺陷的腐蚀显示实验安排:4人组时间:两小时地点:北方工业大学第三教学楼2403房间实验所用主要设备:金相显微镜一实验目的硅单晶中的各种缺陷对器件的性能有很大的影响它会造成扩散结面不平整使晶体管中出现管道引起p-n?结的反向漏电增大等各种缺陷的产生和数量的多少与晶体制备工艺和器件工艺有关晶体缺陷的实验观察方法有许多种如透射电子显微镜X光貌相技术红外显微镜及金相腐蚀显示等方法对表面缺陷也可
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