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  对元器件参数精度和电源稳定度较模拟电路低一些二半导体三极管的开关特性：1MOS管的结构：4MOS管的四种类型（列表）：§ 集成电路概述1输入级形式（一）A三 其它逻辑功能的TTL门电路ABCD图 OC门与非门电路结构及国标符号§ CMOS门电路图 带缓冲级的CMOS或非门五CMOS集成门电路的特点（一）与双极型（如TTL）集成电路相比CMOS电路具有如下特点： （1）静

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  集成逻辑门电路是把门电路的所有元器件及连接导线制作在同一块半导体基片上构成的它属于小规模集成电路(SSI)它是组成一个较大数字系统的基本单元系列⑵VA=3VVB=0V由于DB优先导通VF=因而DA截止通常将DB导通使VF=0=≈0V称为箝位⑷VA=VB=0VVF=此时DADB均导通 VF=0=≈0V0003F0001⒉或门实现逻辑或功能的电路称为或门 ⒉或门实现逻辑或功能的电路称为或门 ⒉或门实现

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  二极管和三极管的开关特性 nxPR 输出特性v CCi B R BEvBEICSstV dC 提高开关速度的方法是：开通时加大基极驱动电流关断时快速泄放存储电荷2. TTL非门的工作原理VR7503k i输出级CC T Ω TP 输出放大1） vI: VIH→VIL T1放大 7503k iCC R1 I=Ω360T5 设 输出高电平值域：[VOHmin]VOHm

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  第2章 逻辑门电路

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  1放大区（线性区）特点：iC 随 iB 成正比地变化几乎不受 vCE 影响电流放大系数开关电路处于截止状态 (3) 当vI 继续升高时 RC 上的压降也随之增大7e RCE(sat)R2vEE为负电源R211(vi)-eR2-(vi)YT5vCCvo=VCC-vR2-vBE4-vD2 ? 高电平5VT1(vI)截止T2AB段： vI< 截止区 所以 VB1< T2

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  单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级第二章 逻辑门电路 内容概述 第一节 标准TTL与非门 第二节 其它类型TTL门电路 第三节 ECL逻辑门电路 第四节 I2 L逻辑门电路 第五节 NMOS逻辑门电路 第六节 CMOS逻辑门电路 第七节 逻辑门的接口电路 小结内容概述双极型集成逻辑门MOS集成逻