一(1) (2)× (3) (4)× (5) (6)× 二(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C三UO1≈1.3V UO20 UO3≈-1.3V UO4≈2V UO5≈2.3V UO6≈-2V四UO16V UO25V五根据PCM200mW可得:UCE40V时IC5mAUCE30V时IC≈6.67mAUCE20V时IC10mAUCE10V时IC2
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第三部分 习题与解答习题1客观检测题一填空题1在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系2当PN结外加正向电压时扩散电流 大于 漂移电流耗尽层 变窄 当外加反向电压时扩散电流 小于 漂移电流耗尽层 变宽 3在N型半导体中电子为多数载流子 空穴 为少数载流子二.判断题 1由于P型半导体中含有大量空穴载流子N型半导体中
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一填空题1在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系2当PN结外加正向电压时扩散电流 大于 漂移电流耗尽层 变窄 当外加反向电压时扩散电流 小于 漂移电流耗尽层 变宽 3在N型半导体中电子为多数载流子 空穴 为少数载流子二.判断题 1由于P型半导体中含有大量空穴载流子N型半导体中含有大
模拟电子技术基础 第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体加入( C )元素可形成P 型半导体 A.五价 B. 四价 C. 三价(2)当温度升高时二极管的反向饱和电流将(A) A.增大 B.不变
第2章 半导体三极管及其基本放大电路 正向 反向 正向 正向 增大 增大 减小 大 共射 共基 共集 共基 输入信号电压 电压型控制 线性增加 可变电阻 耗尽型FET(含JFET) 减小Rg1Rg2的分流作用 增大放大电路的输入电阻 (a1) (b2) (b3) (a4) (b)0 (b)1 (a) (c) (b)2 (c)3 (b1)
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组 编童诗白 华成英 主编自测题与习题解答第1章 常用半导体器件自测题一判断下列说法是否正确用×和表示判断结果填入空内(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素可将其改型为P 型半导体( ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子所以它带负电( × ) (3)PN 结在无光照无外加电压时结电流为零( ) (4)处于放大状态的晶体管集电极电
半导体基础知识自测题 一(1) (2)× (3) (4)× (5) (6)× 二(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C三UO1≈ UO20 UO3≈- UO4≈2V UO5≈ UO6≈-2V四UO16V UO25V五根据PCM200mW可得:UCE40V时IC5mAUCE30V时IC≈UCE20V时IC10mAUCE10V时IC20mA将改点连
电子测量技术基础习题 一 解释名词:① 测量② 电子测量答:测量是为确定被测对象的量值而进行的实验过程在这个过程中人们借助专门的设备把被测量与标准的同类单位量进行比较从而确定被测量与单位量之间的数值关系最后用数值和单位共同表示测量结果从广义上说凡是利用电子技术进行的测量都可以说是电子测量从狭义上说电子测量是指在电子学中测量有关电的量值的测量 叙述直接测量间接测量组合测量的特点并各举一两个测
半导体基础知识自测题 一(1) (2)× (3) (4)× (5) (6)× 二(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C三UO1≈1.3V UO20 UO3≈-1.3V UO4≈2V UO5≈2.3V UO6≈-2V四UO16V UO25V五根据PCM200mW可得:UCE40V时IC5mAUCE30V时IC≈6.67mAUCE20V时IC
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